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国家自然科学基金(50823009)

作品数：2 被引量：5H指数：1
相关作者：郝霄鹏吴拥中邵永亮蒋民华张雷更多>>
相关机构：山东大学山东轻工业学院更多>>
发文基金：山东省科技发展计划项目国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇气流分布
  • 1篇气相外延
  • 1篇氢化物气相外...
  • 1篇微球
  • 1篇空心球
  • 1篇空心微球
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇YVO
  • 1篇YVO4
  • 1篇GAN
  • 1篇EU

机构

  • 2篇山东大学
  • 1篇山东轻工业学...

作者

  • 2篇吴拥中
  • 2篇郝霄鹏
  • 1篇张浩东
  • 1篇张雷
  • 1篇蒋民华
  • 1篇修志亮
  • 1篇李红云
  • 1篇邵永亮

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
自牺牲模板诱导制备YVO_4∶Eu空心微球及其发光性能研究被引量：1
2012年
通过一步水热化学腐蚀YOHCO3∶Eu胶体微球制备了平均尺寸约为250nm的YVO4∶Eu空心球。利用XRD、SEM、EDS、TEM和PL等手段分别对YVO4∶Eu空心球的结构、形貌和发光性质进行了表征。在280nm紫外光激发下,YVO4∶Eu空心球在618nm处具有较强的红光发射。实验证明,YVO4∶Eu空心球的形成过程为溶液传质过程。
李红云修志亮吴拥中郝霄鹏
关键词：光致发光
HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响被引量：4
2011年
采用计算流体力学软件Fluent对HVPE反应室进行了数值模拟,研究了GaCl载气流量对HVPE反应室气流分布的影响,发现GaCl载气流量是影响GaCl和NH3在衬底上均匀分布的重要因素。采用HVPE方法在不同GaCl载气流量下生长GaN单晶,研究了GaCl载气流量对GaN单晶质量的影响,得到了与模拟一致的结果。
张雷邵永亮吴拥中张浩东郝霄鹏蒋民华
关键词：GAN氢化物气相外延气流分布
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共1页<1>
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