教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-08-0651)
- 作品数：7 被引量：28H指数：4
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- 自组织InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点生长及退火情况的比较
- 2011年
- 本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率。对生长的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs两种量子点生长过程与退火情况进行对比,观察到当RHEED衍射图像由条纹状变为网格斑点时,InAs所需要的时间远小于InGaAs;高温退火下RHEED衍射图像恢复到条纹状所需要的时间InAs比InGaAs要长。
- 何浩贺业全杨再荣罗子江周勋丁召
- 关键词：MBERHEEDINAS/GAASINGAAS/GAAS退火
- RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜被引量：5
- 2011年
- 利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于(2×3)表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。
- 罗子江周勋贺业全何浩郭祥张毕禅邓朝勇丁召
- 关键词：MBERHEEDSTM
- 测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率被引量：4
- 2011年
- 报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs(001)衬底上生长GaAs与InGaAs,用RHEED强度振荡测定GaAs与InGaAs的生长速率.验证了InGaAs的生长速率为GaAs的生长速率与InAs的生长速率之和,得到了In源温度在845～880℃时InAs的生长速率曲线.
- 郭祥罗子江张毕禅尚林涛周勋邓朝勇丁召
- 关键词：MBERHEEDGAAS(001)衬底
- 不同Ⅴ/Ⅲ束流比对GaAs(001)面重构相的影响
- 2010年
- GaAs表面在不同的Ⅴ/Ⅲ束流比下会呈现不同的表面重构相。本文通过改变As4 BEP和Ga BEP的束流强度,获得不同As4 BEP和Ga BEP束流比下GaAs(001)从富Asβ2(2×4)重构相转变成富镓β2(4×2)重构相的RHEED衍射图样,然后利用球棒模型对衍射图样进行解释。
- 贺业全罗子江杨再荣何浩邓朝勇周勋丁召
- 关键词：GAAS
- 掺稀土钡镁铝酸盐中的能量传递研究
- 2011年
- 采用高温固相反应法合成了Eu2+和Mn2+共掺杂的BaMgA l10O17:(Eu2+,Mn2+)荧光粉,并对其发光特性进行了研究。研究表明,在共掺杂体系中,存在着Eu2+到Mn2+的高效的能量传递。文章在实验的基础上,以Forster-Dexter的能量传递理论为依据,对体系中可能的能量传递机制进行了讨论。结果表明,电偶极-电四极相互作用在BaMgA l10O17:(Eu2+,Mn2+)体系Eu2+→Mn2+能量传递过程中起到主导作用。
- 马凯英徐慧周勋丁召邓朝勇
- 关键词：共掺杂
- InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究被引量：11
- 2011年
- 利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法。根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相。样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜。
- 罗子江周勋杨再荣贺业全何浩邓朝勇丁召
- 关键词：MBERHEEDSTM
- 反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究被引量：21
- 2011年
- 以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As4等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据.
- 周勋杨再荣罗子江贺业全何浩韦俊邓朝勇丁召
- 关键词：分子束外延温度校准
