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国防科技重点实验室基金(51491010105DZ0401)

作品数：4 被引量：4H指数：2
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相关机构：杭州电子科技大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇RF-CMO...
  • 1篇单异质结
  • 1篇低功耗
  • 1篇低压低功耗
  • 1篇异质结
  • 1篇小信号
  • 1篇宽带放大器
  • 1篇寄生
  • 1篇寄生效应
  • 1篇功耗
  • 1篇放大器
  • 1篇HBT
  • 1篇INGAP/...
  • 1篇INGAP/...
  • 1篇MOST

机构

  • 4篇杭州电子科技...

作者

  • 4篇孙玲玲
  • 4篇刘军
  • 2篇徐晓俊

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇微波学报

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
RF-CMOS建模:面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发被引量：2
2007年
在EKVv2·6本征模型基础上发展出一种新的、可用于低压低功耗CMOSRFICCAD的RF-MOSFET模型,模型对栅氧化层寄生电阻以及有损基底损耗进行了考虑.在对晶体管零偏和线性工作态下等效电路进行分析的基础上,开发出新的解析提取RF-MOSFET器件射频寄生参数的算法.模型最终应用到采用CSM(CharteredSemiconductorManufactureLtd)0·25μmRF-CMOS工艺制造的一共源连接、8栅指(每指尺寸长L=0·24μm,宽W=9·58μm)n-MOSFET建模中,DC高达40GHz测量和仿真所得S参数对比结果验证了模型的良好精度.
刘军孙玲玲徐晓俊
关键词：低压低功耗
RF-CMOS建模:MOST在片测试结构寄生分析
2007年
提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型,模型综合考虑了射频/微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应.模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT(device under test)之间的非连续性,对互连金属和基底之间的寄生效应单独进行了考虑.通过引入一个新的元件,对PAD结构基底感性损耗进行表征.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的测试结构寄生效应等效电路建模中,高达40GHz测试和仿真数据验证了模型的良好精度.
刘军孙玲玲徐晓俊
关键词：RF-CMOS寄生效应
Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT建模被引量：2
2005年
Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT微波特性的精确建模对该类器件的微波功率应用极为重要.本文开发了一个可精确用于表征Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT直流、大、小信号特性的新模型,并可用于对HBT器件极为重要的自热效应的仿真.模型开发过程中对UCSDHBT模型和VBICBJT模型进行了借鉴,但新模型不同于以上两个模型.模型通过对比直流、S参数和功率测量结果进行验证.
刘军孙玲玲
关键词：小信号
一个新的单异质结InGaP/GaAs HBT模型
2006年
对VB IC B JT模型用于Ⅲ-V族化合物HBT器件建模的可行性进行了讨论和借鉴,结合UCSD HBT模型优点,提出一个新的可精确用于单异质结InGaP/GaAsHBT模型,并用于该类器件建模。测量和模型仿真I-V特性及多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明,DC^20GHz频率范围内,新模型可对单、多指InGaP/GaAs HBT器件交流小信号特性进行精确表征。运用所建模型准确的预见了一宽带放大器性能。
刘军孙玲玲
关键词：INGAP/GAAS宽带放大器
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