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中国博士后科学基金(20110490995)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：翟俊霞喻先坤张伟风丁玲红焦洋更多>>
相关机构：河南大学更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇室温制备
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体管
  • 1篇晶体管器件
  • 1篇沟道
  • 1篇厚度
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管

机构

  • 1篇河南大学

作者

  • 1篇张新安
  • 1篇焦洋
  • 1篇丁玲红
  • 1篇张伟风
  • 1篇喻先坤
  • 1篇翟俊霞

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
沟道层厚度对室温制备的In_2O_3薄膜晶体管器件性能的影响(英文)被引量：1
2013年
在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2.5 V,开关电流比约为106,场效应迁移率为6.2 cm2·V-1·s-1。
焦洋张新安翟俊霞喻先坤丁玲红张伟风
关键词：薄膜晶体管电学特性
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