福建省科技计划重点项目(2008I0019)
- 作品数：7 被引量：41H指数：4
- 相关作者：程树英赖松林黄红梁彭少朋何龙更多>>
- 相关机构：福州大学更多>>
- 发文基金：福建省科技计划重点项目教育部留学回国人员科研启动基金福建省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
- 优化FIR数字滤波器的FPGA实现被引量：6
- 2011年
- 基于提高速度和减少面积的理念,对传统的FIR数字滤波器进行改良。考虑到FPGA的实现特点,研究并设计了采用Radix-2的Booth算法乘法器以及结合了CSA加法器和树型结构的快速加法器,并成功应用于FIR数字滤波器的设计中。滤波器的系数由Matlab设计产生。仿真和综合结果表明,Booth算法乘法器和CSA算法加法器树,在满足FIR数字滤波器的性能要求的同时,在电路实现面积上、尤其是速度上有明显的优化;并且当数据量越多时,优化也越明显。
- 邹兴宇程树英
- 关键词：MATLABBOOTH算法ISE
- 基于USB接口的电化学沉积仪器数据采集系统的研究被引量：1
- 2009年
- 数据采集系统是试验仪器的重要组成部分。介绍电化学沉积试验仪器的原理及其数据采集系统部分的设计。该采集系统中采用AVR单片机AT90USB1287处理器实现与终端PC的数据通信。USB外设把采集到的数据信号发往主机,从而在主机上实现了数据图像的实时显示。实验结果表明该USB接口的数据采集系统数据传输速率快、性能稳定。
- 韩昌赖松林程树英
- 关键词：USB数据采集VC
- 退火温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响被引量：7
- 2010年
- 为了获得光电性能好的ZnS窗口层薄膜,采用电子束蒸发法在玻璃基片上沉积ZnS薄膜,研究退火温度（200－500℃）对ZnS薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明：所制备的薄膜均为闪锌矿结构的β-ZnS多晶薄膜,导电类型为n型。随着退火温度的增高,薄膜结晶度和光电性能都变好。但是,当退火温度过高（500℃）时,薄膜的半导体特性反而变差。退火温度为400℃时,ZnS薄膜的性能最佳,此时薄膜的透过率较高;电阻率较低,为246.2Ω·cm。
- 赖松林程树英黄红梁林珊
- 关键词：ZNS薄膜电子束蒸发退火温度光电性能
- 基片温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响被引量：11
- 2009年
- 采用电子束蒸发在不同基片温度下沉积ZnS薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响。结果表明:不同基片温度下沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,为体心立方(闪锌矿)结构的β-ZnS,并具有明显的(111)面择优取向,导电类型为n型。随着成膜时基片温度的提高,薄膜结晶度越来越好,透过率增大,载流子浓度增大,而电阻率减小。
- 黄红梁程树英黄碧华
- 关键词：ZNS薄膜电子束蒸发基片温度
- 硫化温度对Sn_xS_y薄膜光电性能的影响
- 2009年
- 用真空热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,分别在硫化温度为210,240和270℃的条件下硫化45min。研究了硫化温度对薄膜样品光学和电学性能的影响。结果显示:随着硫化温度的升高,其电阻率减小;但薄膜导电类型不受硫化温度的影响,都为p型。当硫化温度为240℃时,薄膜为斜方SnS多晶薄膜,沿{111}方向优先生长,其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好,薄膜粒径为200～800nm,薄膜的直接能带间隙为1.46eV,电阻率为25.54Ω·cm。
- 赖松林程树英彭少朋
- 关键词：硫化温度光学性能电学性能
- 基于遗传算法和扰动观察法的MPPT算法被引量：17
- 2009年
- 作为一种绿色能源,光伏并网发电在我国发展迅猛。在此针对光伏电池的非线性特性,介绍了最大功率点跟踪的原理,并提出了基于遗传算法和扰动观察法的MPPT算法。通过使用Matlab对算法进行了仿真研究,并给出了仿真结果。实验结果表明,该算法具有良好的搜索速度,能使系统稳定工作在最大功率点,并能实现恶劣条件下的最大功率点跟踪。
- 何龙程树英
- 关键词：光伏系统最大功率点追踪遗传算法扰动观察法
- 硫化温度和时间对Sn_xS_y薄膜结构和成分的影响被引量：1
- 2010年
- 用热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层sn薄膜，在真空条件下，将其在150～300℃下硫化30．60min．对在不同温度和时间下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析，结果表明：在不同温度和不同时间下硫化，所得到的薄膜在物相结构、成分和表面形貌上都存在差异．当硫化温度为240℃、硫化时间为45min时，所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜，其均匀性、致密性以及对基片的附着力都较好，具有（111）方向优先生长，薄膜粒径在200～800nm，且晶格常数与标样的数值吻合很好．
- 林建光彭少朋程树英
- 关键词：硫化温度硫化时间
