国家自然科学基金(50472011)
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
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- 从SiBONC陶瓷粉体中生长β-SiC纳米线被引量：3
- 2008年
- 通过有机聚合物先驱体法使用四氯化硅（SiCl4）、苯甲醛（PhCHO）、烷基胺（RNH2）、三氯化硼（BCl3）为原料，通过有机-无机裂解转化制备了SiBONC陶瓷的纳米粉体。在对SiBONC陶瓷粉末坯体进行高温气压处理时，发现在坯体表面生长出大量β-SiC纳米线。通过XRD、FT-IR、SEM、TEM等分析测试手段分析了该纳米线的微观结构和物相组成，并初步推断了其生长机制。结果表明：该纳米线为结晶良好的β-SiC，其主要组成元素为Si、C及少量的O；其直径在20～200nm之间，其平均长度在1mm左右。
- 温广武李峰韩兆祥白宏伟
- 关键词：SIC纳米线气压烧结
- 前驱体法制备SiBONC陶瓷及其组织结构
- 2008年
- 以高含氢甲基硅油、乙二胺和三氯化硼为主要原料,通过前驱体法制备了一种SiBONC五元体系陶瓷,并对陶瓷粉体和陶瓷材料的物相及微观结构进行了分析研究。SiBONC先驱体在600℃至1000℃内实现了由有机向无机的完全转化。在氮气气氛保护下,先驱体在1000℃裂解制得一种非晶态陶瓷粉末,该陶瓷粉末在1700℃经热压烧结制得非晶陶瓷,陶瓷密度2.01 g/cm^3,抗弯强度185.15 MPa、断裂韧性2.55 MPa·m^(1/2)、维氏硬度3.70 GPa。
- 白宏伟温广武李峰
- 关键词：先驱体非晶态力学性能
- 有机先驱体法制备SiBONC陶瓷的高温性能及析晶过程被引量：2
- 2006年
- 通过有机聚合物先驱体法使用四氯化硅(SiCl4)、苯甲醛(PhCHO)、烷基胺(RNH2)、三氯化硼(BCl3)为原料,对SiO2基陶瓷进行了B,C,N的原子级掺杂,并用裂解制备的纳米陶瓷粉体热压烧结制备了一种硅基复合陶瓷。在气氛烧结炉中对粉体及块体材料的热稳定性及析晶情况进行研究。粉体及块体陶瓷材料在1700℃时仍保持非晶态,其析晶温度在1800℃以上,析出的上要物相为纳米级的SiC颗粒及少量BN,其质量损失率在1900℃时为4％左右。B,C,N的原子级掺杂有效的提高了硅基陶瓷的热稳定性和硅基陶瓷的析晶温度,由于纳米SiC颗粒的析出使SiO2基陶瓷的高温力学性能得到了提高。
- 李峰温广武韩兆祥
- 关键词：先驱体热稳定性析晶
- 有机聚合物先驱体法制备SiBONC复合陶瓷
- 2005年
- 通过有机聚合物先驱体法使用氯代硅氧烷[(SiOCl2)n]、烷基胺(RNH2)、三氯化硼(BCl3)为原料,对SiO2基陶瓷进行了B,C,N的原子级掺杂,制备了一种硅基复合陶瓷.通过有机-无机裂解转化制备了陶瓷的纳米粉体,其Si:B的摩尔比为80:20,将该粉体热压制备了复合陶瓷材料.通过力学分析,XRD,SEM,FT-IR,TEM等测试手段对材料的结构和性能进行了分析研究.陶瓷材料的密度在1.95 g/cm3～2.15 g/cm3之间,力学性能在1700℃,25 Mpa热压条件下达到最高,其抗弯强度为150.50 Mpa、维氏硬度为3.78GPa、断裂韧性为2.10 Mpa·m1/2.得到的复合陶瓷在1700℃时仍保持非晶态,在1800℃时有少量的纳米级SiC球形颗粒析出.分析认为:B,C,N的原子级掺杂引入显著提高了SiO2基陶瓷材料的力学性能和析晶温度,十分有效的提高了陶瓷材料的热稳定性.
- 李峰温广武宋亮雷廷权周玉
- 关键词：先驱体有机硅聚合物非晶态复合陶瓷
