宁波市自然科学基金(2007A610025)
- 作品数：2 被引量：7H指数：2
- 相关作者：杨培志陈红兵徐方蒋成勇肖华平更多>>
- 相关机构：昆明物理研究所宁波大学更多>>
- 发文基金：宁波市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 钨酸镉单晶的坩埚下降法生长被引量：3
- 2008年
- 以高纯CdO,WO3为初始原料,应用高温固相反应合成CdWO4多晶料。采用垂直坩埚下降法生长CdWO4单晶,生长单晶时炉体温度为1 350～1 400℃,固液界面温度梯度为30～40℃/cm,坩埚下降速率为0.5～1.5 mm/h。生长的透明的CdWO4单晶尺寸达φ40 mm×70 mm。用X射线衍射、透射光谱和X射线激发发射光谱等进行了单晶性能的表征。结果表明:CdWO4单晶具有良好的晶格完整性;单晶的吸收边位于325 nm左右,在380～900 nm区域的光透过率达70%左右。CdWO4单晶X射线激发发射光的峰值波长位于470 nm。
- 肖华平陈红兵徐方蒋成勇杨培志
- 关键词：闪烁晶体钨酸镉晶体生长坩埚下降法
- 坩埚下降法生长钨酸镉单晶的光学均匀性被引量：5
- 2009年
- 采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征,分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化,研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律.结果表明,CdWO4单晶生长过程存在比较严重的熔体挥发,且熔体中CdO比WO3更加易于挥发;CdWO4单晶的化学组成存在不同程度缺Cd的特征,初期生长晶体的n(Cd)/n(W)比相对高,后期生长晶体的n(Cd)/n(W)比持续减小,相应地单晶在380～550nm区域的光透过率略有降低,X射线激发发光强度有所降低,且发光波长出现略微红移的趋势.通过提高多晶料纯度、减少熔体挥发和氧气氛退火处理,可以改善坩埚下降法生长CdWO4单晶的光学均匀性.
- 陈红兵肖华平徐方方奇术蒋成勇杨培志
- 关键词：钨酸镉晶体生长坩埚下降法光学均匀性
