四川省青年科技基金(08ZQ026-025)
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 相关作者：徐明何贤模芦伟魏屹魏屹更多>>
- 相关机构：四川师范大学电子工程学院中国科学院更多>>
- 发文基金：四川省青年科技基金教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程更多>>
- 中子嬗变掺杂前后Ge纳米晶的结构和性质
- 2010年
- 采用第一性原理计算模拟Ge纳米晶在中子嬗变掺杂(NTD)后受空位、O和As杂质的影响.结果表明,退火方法引入的O并不能消除纳米晶中的辐照致空位缺陷的影响,而NTD产生的As掺杂能补偿这些空位缺陷并消除禁带中产生的杂质能级,从而改善半导体掺杂性能.计算还发现,由于较高的电负性,纳米晶中O对Ge原子较强的吸附作用阻止了空位的形成,导致与缺陷相关的非辐射发光中心的浓度减小,发光效率提高,因此中子辐照掺杂前的高温退火处理是非常有必要的.计算较好地解释了已报道的实验结果.
- 陈青云孟川民卢铁城徐明胡又文
- 关键词：中子嬗变掺杂第一性原理空位缺陷
- Si/SiN_x多层膜能带结构的理论研究被引量：4
- 2010年
- 利用Kronig-Penney模型计算了Si/SiNx多层膜结构中Si亚层的能带结构.结果表明,无论是减少Si或Si/SiNx亚层的厚度都将导致Si层的带隙发生宽化,计算结果与实验值符合较好.进而还发现,当Si层厚度减小时,Si/SiNx多层膜结构中载流子(电子和空穴)的有效质量均减小,有利于对载流子复合发光的控制.计算结果对实验上研究发光可控的Si/SiNx多层膜结构有重要指导意义.
- 徐明魏屹何贤模芦伟
- 关键词：多层膜量子限制效应
- Si/SiO2和Si／SiNx／SiO2超晶格的能带结构被引量：3
- 2010年
- 利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO2和Si/SiNx/SiO2多层膜结构中量子阱的能带结构,进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现,适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化.在Si/SiO2超晶格中,Si量子阱层带隙能量随着Si层厚度的变化符合EPL(eV)=1.6+0.7/d2关系,与我们的计算结果十分吻合.在Si/SiNx/SiO2超晶格系统中,可以通过控制各亚层厚度,尤其是Si和SiNx层厚度,均能够有效地控制发光.
- 魏屹董成军徐明
- 关键词：超晶格量子限制效应
- 氮化硅薄膜的光致发光机制
- 2012年
- SiNx的结构和性能都会随x值发生显著变化,尤其是薄膜的发光性质。同时,在不同条件下制备的SiNx薄膜中都观察到了可见光致发光现象,研究者提出了相应的机制予以解释。总结了近十年来关于SiNx薄膜的光致发光研究进展,评述了其各种发光机制。
- 何贤模徐明芦伟
- 关键词：氮化硅薄膜光致发光
