国家自然科学基金(11205107)
- 作品数:5 被引量:10H指数:2
- 相关作者:伍建春邹宇展长勇黄宁康邹宇更多>>
- 相关机构:四川大学中国工程物理研究院洛阳船舶材料研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域:核科学技术电子电信理学一般工业技术更多>>
- 第一性原理研究Zr的掺杂对Xe在UO2中溶解能力的影响
- 2018年
- Zr既是反应堆中核燃料组件的包壳材料,也是核燃料UO_2的一种裂变产物,不可避免地会掺杂到UO_2中,对其性质等产生一定的影响.本文通过第一性原理密度泛函理论计算,研究了Zr掺杂所引起的Xe在UO_2中溶解能力的变化.首先应用引入Hubbard U修正的广义梯度近似密度泛函计算了U,O间隙和空位缺陷的形成能,结果与文献值符合,验证了计算方法的可靠性.在此基础上对Zr掺杂后空位缺陷的形成能及Xe吸附到空位缺陷所需的结合能的变化情况进行了研究.结果表明,Zr的掺杂会增加空位缺陷的形成能,减小大部分Xe吸附的结合能,且空位缺陷形成能的变化量普遍更大,从而在整体上增加了Xe在UO_2中的溶解能.说明在UO_2中,Zr掺杂主要是通过增加缺陷的形成难度而减弱了Xe在其中的溶解能力.
- 张仲王欢王开元安欢刘彪伍建春邹宇
- 关键词:UO2ZRXE
- 多孔硅阵列结构的形貌研究被引量:7
- 2013年
- 采用电化学腐蚀方法分别在HF+异丙醇(IPA)和HF+IPA+十六烷基三甲基氯化铵(CATC)溶液中制备多孔硅结构阵列,分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响。结果表明:在质量分数40%HF,H2O,IPA的体积比为7∶4∶29时得到优化的多孔硅阵列;腐蚀电流密度越大,孔壁越薄;初始的腐蚀会向外扩展直到形成的孔径达近10μm,在窗口8μm、间距5μm的硅片上腐蚀的孔壁表面出现小孔。CTAC的加入会使孔壁上刻蚀出小孔,并随着CTAC的增加,小孔的孔径减小,数量增加。
- 范晓强蒋勇展长勇邹宇伍建春黄宁康王春芬
- 关键词:中子探测器形貌异丙醇阳极氧化
- 钨中不同构型的双自间隙原子扩散行为研究被引量:1
- 2019年
- 钨作为一种重要的核材料,在辐射环境下的微观演化行为与自间隙原子缺陷的扩散行为密切相关.研究不同构型自间隙原子的扩散行为有助于全面理解材料的微观演化过程.本文采用分子动力学方法重点考察了钨中具有不同构型的双自间隙原子随温度变化的扩散行为.结果表明:彼此互为最近邻的<111>双自间隙原子,随着温度的升高,从一维扩散演变成三维扩散,在<111>方向保持稳定的最近邻结构;次近邻<111>双自间隙原子在一定温度范围内沿<111>方向一维扩散,当温度高于600 K将解离成两个独立运动的自间隙原子;而三近邻结构在温度高于300 K就将解离.非平行结构的双自间隙原子在一定温度范围内形成固着性结构,几乎不移动,但在温度高于1000 K时将转化成移动性缺陷.通过将微动弹性带算法获得的自间隙原子迁移能与阿伦尼乌斯关系拟合的结果进行对比,表明了钨中单自间隙原子和双自间隙原子的扩散系数随温度的变化规律不适于用阿伦尼乌斯关系来描述,而线性关系则能合理地描述这一规律.
- 冉琴王欢钟睿伍建春邹宇汪俊
- 关键词:辐照损伤分子动力学模拟
- 腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究被引量:3
- 2013年
- 采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整。当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨。
- 蒋稳邹宇伍建春展长勇朱敬军安竹杨斌黄宁康
- 关键词:中子探测器电化学刻蚀形貌
- Effect of electrochemical etching current on prepared perforated silicon structures for neutron detectors
- 2013年
- Xiao-Qiang FANYong JIANGChang-Yong ZHANYu ZOUJian-Chun WUNing-Kang HUANG