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北京市教委科技项目(KM200610005016)
作品数:
1
被引量:7
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相关作者:
韦奇
聂祚仁
李群艳
王艳丽
于春晓
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相关机构:
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于春晓
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韦奇
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2007
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乙烯基修饰的微孔二氧化硅膜孔结构与疏水性研究
被引量:7
2007年
在溶胶-凝胶反应过程中,用乙烯基三乙氧基硅烷(TEVS)代替部分正硅酸乙酯(TEOS),通过两者共水解缩合反应制备乙烯基修饰的SiO_2膜,并通过BET、TG、NMR、以及接触角测量仪对所制备的材料进行表征.结果表明:修饰后的二氧化硅膜仍保持微孔结构,且孔径集中分布在0.5~0.7nm之间.由于部分亲水表面羟基被疏水乙烯基团所代替,乙烯基修饰的SiO_2膜疏水性能得到明显提高,并且随着TEVS加入量的增加,疏水性能逐渐增强.
王艳丽
韦奇
于春晓
李群艳
聂祚仁
关键词:
二氧化硅膜
乙烯基
孔结构
溶胶-凝胶法
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