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中国科学院知识创新工程(KJCX2-SW-04)

作品数:3 被引量:18H指数:3
相关作者:谢家纯傅竹西粱锦林碧霞孙腾达更多>>
相关机构:中国科学技术大学更多>>
发文基金:中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇带隙
  • 2篇宽带隙
  • 2篇ZNO
  • 1篇电极
  • 1篇电极制备
  • 1篇电特性
  • 1篇异质结
  • 1篇深能级
  • 1篇碳化硅
  • 1篇能级
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇紫外
  • 1篇温度传感器
  • 1篇系统结构
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇感器
  • 1篇高温

机构

  • 3篇中国科学技术...

作者

  • 3篇谢家纯
  • 2篇傅竹西
  • 1篇黄莉敏
  • 1篇易波
  • 1篇孙腾达
  • 1篇刘峥嵘
  • 1篇郭俊福
  • 1篇徐军
  • 1篇王颖
  • 1篇胡林辉
  • 1篇林碧霞
  • 1篇赵朝阳
  • 1篇刘文齐
  • 1篇李雪白
  • 1篇粱锦

传媒

  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇传感器技术

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2003
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
不同衬底材料的ZnO/Si异质结I-V及光电特性被引量:5
2008年
采用脉冲激光沉积(PLD)技术和微电子平面工艺,用不同表面掺杂的Si作为衬底制备了ZnO/Si异质结,并且以p-Si(p-)为衬底制备了ZnO(含Mn0.2%)/Si异质结、包含SiC缓冲层的ZnO/SiC/Si和ZnO(含Mn0.2%)/SiC/Si结构,测试了样品的XRD曲线、I-V特性曲线和P-E(光电响应)特性曲线.结果发现ZnO/n-Si结有很低的反向暗电流,SiC缓冲层能提高反向击穿电压,ZnO/p-Si(p+)异质结能有较强的光电响应,ZnO/n-Si(n-)更适合作为大波段区间的光探测器.还发现波长470,480,490nm处类似于声子伴线的光谱结构.
刘峥嵘谢家纯郭俊福李雪白赵朝阳刘文齐傅竹西
关键词:ZNO脉冲激光沉积深能级
ZnO欧姆电极制备与n-ZnO/p-Si异质结紫外光电特性被引量:10
2006年
基于ZnO形成的机理,运用半导体能带理论,分析了金属和ZnO的欧姆接触和肖特基接触特性;在p-Si衬底上,采用直流及射频溅射获得掺Al的ZnO薄膜;用电子束蒸发In/Ag、In/Al、Ti/Au,微电子光刻工艺制作范德堡、传输线、梳状电极和n-ZnO/p-Si异质结UV增强光电探测器,并在200~500℃时,在氩气保护下制作合金样品,测量样品的I-V特性、电阻率、载流子浓度、异质PN结的UV光谱响应,以及对XPS结构组分进行分析等.测试结果表明,采用金属功函数低的In、Ti做中间导电层,并在400℃退火合金后,In/Ag、In/Al、Ti/Au与n-ZnO薄膜形成了良好的欧姆接触.
孙腾达谢家纯粱锦黄莉敏林碧霞傅竹西
关键词:宽带隙ZNO欧姆接触异质结紫外
一种SiC高温温度传感器被引量:4
2003年
理论表明,当流过SiC肖特基势垒二极管的正向电流恒定时,在一定温度范围内,器件两端的正向压降与温度变化之间存在线性关系。利用此特性,可以制造SiC高温温度传感器。阐述了SiC高温温度传感器的工作原理、结构特点和工艺过程,介绍了传感器系统的结构。系统的测温范围在0~500℃,测量准确度可达0.5℃。
胡林辉谢家纯徐军王颖易波
关键词:温度传感器SIC系统结构宽带隙碳化硅
共1页<1>
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