电子信息产业发展基金(2004125)
- 作品数:6 被引量:32H指数:4
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- 发文基金:电子信息产业发展基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域:理学电子电信更多>>
- Ag掺杂ZnO的第一性原理计算被引量:10
- 2007年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究.研究表明,掺Ag导致晶格膨胀;在ZnO晶格中,杂质Ag最可能以替代Zn位出现,此时将形成一个深受主能级.文中的计算结果与其他研究者的实验结果相吻合.
- 万齐欣熊志华饶建平戴江南乐淑萍王古平江风益
- 关键词:ZNOAG第一性原理电子结构
- MOCVD方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜被引量:4
- 2006年
- 用常压金属有机化学气相外延方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜,研究了ZnO低温缓冲层的厚度(50h,300h)对薄膜性能的影响。采用原子力显微镜,X射线衍射和光致发光光谱仪对这些样品进行分析。结果表明:缓冲层的厚度对zno外延薄膜的表面形貌、晶体结构及发光性能都有较大影响。在50h~100A低温缓冲层上生长的ZnO外延膜,晶粒尺寸大小均匀,发光和结晶性能良好。
- 方芳王立方文卿蒲勇郑畅达苏宏波江风益
- 关键词:MOCVDNIX射线衍射
- 常压MOCVD生长Ga_2O_3薄膜及其分析被引量:5
- 2006年
- 以去离子水(H2O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga2O3薄膜。用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga2O3外延膜的质量。在X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3(1-02)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为0.25°,表明该Ga2O3外延膜是(1-02)择优取向。在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子。
- 戴江南王立方文卿蒲勇李璠郑畅达刘卫华江风益
- 关键词:金属有机化学气相沉积氧化镓原子力显微镜X射线衍射二次离子质谱
- 常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al_2O_3薄膜及其性能被引量:3
- 2005年
- 以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680℃时,利用常压MOCVD在GaN/A l2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(DCXRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜的表面形貌、结晶学性质、光学性质作了综合研究。双晶衍射表明,ZnO非对称(101-2)面ω扫描的半峰全宽(FWHM)仅为420 arcsec,估算所生长ZnO膜的位错密度大约为108/cm2量级,这与具有器件质量的GaN材料的位错密度相当。在ZnO薄膜的低温15 K光荧光谱中,观察到很强的自由激子和束缚激子发射以及自由激子与束缚激子的多级声子伴线。
- 戴江南王立方文卿蒲勇莫春兰熊传兵郑畅达刘卫华江风益
- 关键词:金属有机化学气相沉积原子力显微镜X射线双晶衍射光致发光
- 缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响被引量:1
- 2007年
- 采用常压MOCVD法,以二乙基锌和去离子水为源,在不同厚度的ZnO缓冲层上生长了一组ZnO薄膜。分别采用X射线衍射(XRD)、干涉显微镜和光致发光谱(PL)对样品的结晶性能、表面形貌和发光性能进行分析,结果表明,随着缓冲层的引入,ZnO外延膜的质量得到很大提高,缓冲层的厚度对外延ZnO薄膜的质量有很大的影响,当缓冲层厚度为60 nm时,ZnO薄膜的结晶性能最好,表现出高度的择优取向,(002)面的ω摇摆曲线半峰全宽仅为1.72°,其表面平整,表现出二维生长的趋势,室温光致发光谱中只有与自由激子复合有关的近紫外发光峰,几乎观察不到与缺陷有关的深能级发光。
- 李璠李冬梅戴江南王立蒲勇方文卿江风益
- 关键词:ZNO缓冲层MOCVD
- ZnO/AlN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究被引量:10
- 2006年
- 用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜。引入低温Al N缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配。薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(111)、ZnO(000l)及Al N(000l)的衍射峰。ZnO/Al N/Si(111)薄膜C方向晶格常量为0.5195nm,表明在面方向处于张应力状态;其对称(0002)面和斜对称(1012)面的双晶X射线衍ω摇摆曲线半峰全宽分别为460″和1105″;干涉显微镜观察其表面有微裂纹,裂纹密度为20cm-1;3μm×3μm范围的原子力显微镜均方根粗糙度为1.5nm;激光实时监测曲线表明薄膜为准二维生长,生长速率4.3μm/h。低温10K光致发光光谱观察到了薄膜的自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线。所有结果表明,采用金属化学气相沉积法并引入Al N为缓冲层能有效提高Si(111)衬底上ZnO薄膜的质量。
- 郑畅达王立方文卿蒲勇戴江南江风益
- 关键词:薄膜光学结构性能光致发光