国家教育部博士点基金(20130009110008)
- 作品数:6 被引量:8H指数:2
- 相关作者:陈云琳范天伟佟曼张进宏朱亚彬更多>>
- 相关机构:北京交通大学北京印刷学院更多>>
- 发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金北京市教委面上项目更多>>
- 相关领域:理学机械工程电子电信电气工程更多>>
- 铌酸锂衬底上磁控溅射ITO薄膜及其光电性质研究被引量:1
- 2015年
- 在铌酸锂(LN)晶体衬底上磁控溅射铟锡氧化物(ITO)薄膜,研究了射频磁控溅射制备ITO/LN薄膜的最佳工艺。采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析了透明导电ITO膜的制备工艺参数对薄膜表面形貌和晶体结构的影响,同时应用四探针电阻率测量和紫外可见光谱测量技术对所研制的ITO/LN膜的光电性质进行了研究。结果表明,衬底温度为320℃,溅射时间50 min时制备的ITO/LN薄膜具有最佳光电性质,在该条件制备出薄膜的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,ITO/LN平均可见光透光率可达74.38%,平均透光率比LN衬底提高了1.1%。应用该溅射条件制备了泰伯效应位相阵列器,其近场衍射成像的相对光强可达0.67。
- 柯笑晗陈云琳朱亚彬范天伟
- 关键词:ITO薄膜铌酸锂磁控溅射光电性质
- 基于周期极化掺镁铌酸锂晶体的六角可调相位阵列光栅被引量:2
- 2014年
- 研究了基于周期极化掺镁铌酸锂(PPMg…LN)晶体的二维六角可调相位光栅及其Talbot效应光衍射成像。理论模拟不同相位差及分数Talbot距离条件下的近场光衍射强度分布,计算取样区内衍射强度随相位差和分数Talbot距离的变化,给出相位差恒定及变化情况下取样区强度最大值的位置。在理论研究基础上,设计与制备PPMg…LN六角可调相位阵列光栅,并进行了Talbot衍射成像的实验研究,实验结果与理论研究吻合较好。
- 张进宏陈云琳
- 关键词:光栅TALBOT效应电光效应
- 畴腐蚀掺镁铌酸锂光分束器的泰伯效应研究被引量:2
- 2014年
- 基于菲涅耳衍射理论分析了畴腐蚀二维周期结构掺镁铌酸锂晶体光分束器的泰伯效应,对光分束器不同占空比D及泰伯分数β条件下的近场光衍射自成像进行了数值模拟研究。设计并制备了不同占空比的畴腐蚀掺镁铌酸锂晶体光分束器,并对其进行了分数泰伯光衍射自成像的实验研究,得到了不同泰伯分数β条件下的近场光衍射强度分布。结果表明,当光分束器占空比D=52%、泰伯分数β=2时,近场衍射自成像效果最佳,实验结果与理论研究结果相符。
- 范天伟陈云琳
- 关键词:光学器件衍射泰伯效应光分束器
- 掺镁铌酸锂电光调制位相阵列光栅
- 2015年
- 设计并制备了基于周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)晶体的二维六角可调位相阵列光栅,在较低外加调制电压下,获得了清晰的阵列光栅泰伯(Talbot)光衍射自成像。试验研究了不同相位差时阵列光栅的近场光衍射图样及取样光点处的相对光强分布,在占空比D为52%、相位差Δφ为0.75π、泰伯分数β为0.5时,近场光衍射相对光强最大。同时在较低外加调制电压(0.461kV)下,即可获得清晰泰伯衍射图样。该研究可为掺镁铌酸锂阵列光栅在集成光学领域的应用提供参考。
- 佟曼范天伟陈云琳柯笑晗
- 关键词:泰伯效应
- 有机阳离子对卤素钙钛矿太阳能电池性能的影响被引量:5
- 2018年
- 采用第一性原理计算了CH_3NH_3PbI_3中有机部分CH_3NH_3^+和CH_3NH_3的静电特性.结果表明:CH_3NH_3^+具有强的亲电特性,CH_3NH_3的CH_3^-端具有弱亲电性,而NH_3^-端具有弱亲核性.发现在CH_3NH_3PbI_3中CH_3NH_3^+之间强静电排斥作用在相变中起着重要的作用,且在室温条件下CH_3NH_3^+在无机笼中具备活性和无序的特性,使得TiO_2/CH_3NH_3PbI_3异质结中n型TiO_2的电子通过界面扩散到CH_3NH_3PbI_3材料,并与CH_3NH_3^+结合形成CH_3NH_3,CH_3NH_3的静电特性导致在内建电场作用下更容易取向,取向的CH_3NH_3周围形成的静电场会变得更弱和更加均匀.这对无机框架上载流子的产生和传输更加有利,这样的异质结比传统的pn结具有更大优势.这是CH_3NH_3PbI_3太阳能电池高的光电转换效率的重要原因.
- 张翱陈云琳闫君张春秀
- 关键词:静电势第一性原理
- 畴腐蚀掺镁铌酸锂可调阵列光分束器的研究
- 2016年
- 研究了不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角可调阵列光分束器的分数Talbot效应.对不同Talbot分数β和不同畴腐蚀深度的阵列光分束器Talbot衍射像进行了数值模拟理论研究.模拟结果表明,Talbot分数β可以改变Talbot衍射像的周期及结构分布,而畴腐蚀深度可有效调制衍射像的光强分布.在理论研究的基础上,设计并制备了具有不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角阵列光分束器,对其在不同Talbot分数β条件下的分数Talbot效应进行了通光实验研究,实现了畴腐蚀阵列光分束器对近场Talbot衍射光强分布的调制,实验结果与理论研究结果一致.
- 佟曼范天伟陈云琳
- 关键词:TALBOT效应