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模拟集成电路国家重点实验室开放基金(9140C0903010604)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇耐压
  • 1篇耐压特性
  • 1篇击穿电压
  • 1篇耗尽型
  • 1篇RESURF
  • 1篇LDMOS

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇李肇基
  • 1篇成建兵

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性
2008年
提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS(FB-LDMOS)结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低漂移区漏端电场的同时提高了源侧和中部电场REBULF效应.分析了埋层的浓度、厚度、长度等对器件击穿电压的影响.借助二维仿真软件MEDICI,该新结构的击穿电压由传统LDMOS的585.8V提高到886.9V,提高了51.4%.
成建兵张波李肇基
关键词：LDMOSRESURF击穿电压
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共1页<1>
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