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国防科技技术预先研究基金(51408060904DZ0211)

作品数：1 被引量：4H指数：1
相关作者：陈万军李肇基邓小川更多>>
相关机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇击穿电压
  • 1篇高压器件
  • 1篇比导通电阻
  • 1篇PARTIA...
  • 1篇RESURF
  • 1篇JUNCTI...

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇邓小川
  • 1篇李肇基
  • 1篇陈万军

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
PSJ高压器件的优化设计被引量：4
2006年
基于Semi SJ(superjunction)结构,提出了SJ的比例可以从0～1渐变的PSJ(partialsuperjunction)高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,得到了PSJ高压器件比导通电阻优化设计的理论公式.计算了不同击穿电压的比导通电阻,并与二维器件模拟结果和实验结果相比较.讨论了BAL(bottomassistlayer)部分穿通因素η、p型区深度归一化参数r、p型区深宽比A以及PSJ漂移区掺杂浓度是否统一对PSJ高压器件比导通电阻的影响.其理论结果和器件模拟结果相吻合,为设计与优化PSJ高压器件提供了理论依据.PSJ结构特别适于制造工艺水平不高、很难实现大的p型区深宽比的情况,为现有工艺实现高压低导通电阻器件提供了一种新的思路.
陈万军张波李肇基邓小川
关键词：PARTIALJUNCTIONRESURF击穿电压比导通电阻
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