广东省自然科学基金(057802)
- 作品数:1 被引量:0H指数:0
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- 细胞色素C在汞表面生长性质的AFM研究——吸附自组装机理
- 2009年
- 利用原子力显微镜对细胞色素C在汞表面生长过程进行研究,发现细胞色素C在汞表面首先形成的是高度稍大于1 nm的吸附单分子层,随着生长时间的增加,吸附在汞表面的细胞色素C分子和溶液中的分子间相互作用,自组装形成生长活性点,生长速度明显加快,生长时间达到8 min时,细胞色素C能形成底部直径达527 nm,高度达138nm,分布密度约为1.2~2.3个/μm^2的细胞色素C分子集聚体.生长机理是吸附自组装机理.细胞色素C的浓度较大地影响其在Hg表面的自组装平衡,随着浓度的减少,细胞色素C所能形成的最大分子集聚体的高度和数目都随之减少,浓度与平均表观高度是非线性的关系.
- 彭敏阮湘元周亚民
- 关键词:细胞色素C原子力显微镜