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国防科技重点实验室基金(9140C904010606)

作品数：1 被引量：13H指数：1
相关作者：张磊李泽宏谭开洲更多>>
相关机构：电子科技大学中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氧化层
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇阈值电压
  • 1篇阈值电压漂移
  • 1篇功率VDMO...
  • 1篇辐照加固
  • 1篇薄栅
  • 1篇薄栅氧化层

机构

  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇谭开洲
  • 1篇李泽宏
  • 1篇张磊

传媒

  • 1篇电子科技大学...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
总剂量辐照加固的功率VDMOS器件被引量：13
2008年
采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。
李泽宏张磊谭开洲
关键词：功率VDMOS器件薄栅氧化层阈值电压漂移总剂量辐照
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