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同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构: 2006年; 采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H-SiC单晶片中的微小多型结构。基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向,计算了SiC晶体中3种主要多型在Lane像中对应不同反射的成像位置,并与实际结果进行了比较。鉴别出6H和4H-SiC单晶中分别存在着少量的4H-SiC和15R-SiC多型的寄生生长。; 李现祥董捷胡小波李娟姜守振王丽陈秀芳徐现刚王继扬蒋民华田玉莲黄万霞朱佩平; 关键词：SIC单晶

升华法生长大直径的SiC单晶被引量：4: 2004年; 采用高纯Si粉和C粉在适宜的温度和压力下合成了多晶SiC粉末,在此基础上采用升华法在低压高温下条件下生长了大直径6H SiC单晶,并根据热力学理论分析了SiC的分解。结果表明,在2300℃附近的生长温度下,Si,Si2C,SiC2是Si C热力学平衡下的主要物种,其平衡分压比同组分的SiC物种高出3个量级,因而是升华过程中的主要物种,其质量传输过程直接决定SiC的生长。另外,采用光学显微镜观察SiC单晶中的生长缺陷,分析了缺陷成因,提出了碳的包裹体是微管缺陷的重要来源,而调制掺氮可以抑制部分微管在[0001]方向上的延伸,并在此分析基础上调整生长参数,生长出了高质量的6H SiC单晶。; 李娟胡小波王丽李现祥韩荣江董捷姜守振徐现刚王继扬蒋民华; 关键词：SIC 微管晶体生长热力学

温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响: 利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的...; 李现祥李娟董捷王丽姜守振韩荣江徐现刚王继扬胡小波蒋民华; 关键词：SIC单晶生长速率; 文献传递

温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响被引量：2: 2004年; 利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯度,利用φ50mm的籽晶进行生长,得到了φ57mm的SiC单晶,实现了晶体的扩径生长.; 李现祥李娟董捷王丽姜守振韩荣江徐现刚王继扬胡小波蒋民华; 关键词：SIC单晶生长速率

金刚石线锯切割大直径SiC单晶被引量：23: 2005年; 采用金刚石线切割大直径的SiC单晶,研究了金刚石线锯的切割机理和切割参数,给出切割SiC单晶的实验结果。研究了金刚石线的寿命及各切割参数对线径减少量、翘曲度、表面粗糙度的影响。用光学显微镜观察了磨损的金刚石线和切割表面。; 陈秀芳李娟马德营胡小波徐现刚王继扬蒋民华; 关键词：SIC 翘曲度

Micro-Raman光谱鉴定碳化硅单晶的多型结构: 利用激光拉曼光谱仪测量了SiC单晶中不同多型的显微Raman光谱。在Raman光谱中,最大强度的FTA模和FTO模应出现在其简约波矢x等于该多型的六角度h处,据此时4H-SiC单晶中的多型进行了鉴定。同时采用高分辨X射线...; 王丽胡小波董捷李娟姜守振李现祥徐现刚王继扬蒋民华; 关键词：SIC单晶; 文献传递

Surface Polishing of 6H-SiC Substrates被引量：5: 2007年; The surface polishing for silicon carbide （SIC） substrates was investigated and results were presented for mechanical polishing （MP） and chemo-mechanical polishing （CMP）. High quality surfaces were obtained after CMP with colloidal silica. The removal mechanism of scratches in MP and detailed physical and chemical process during CMP were analyzed. The effects of MP and CMP on the surface roughness were assessed by optical microscopy （OM）, atomic force microscopy （AFM） and step profilometry. KOH etching and high resolution X-ray diffractometry （H RXRD） were applied to evaluate the subsurface damage of 6H-SiC substrates.; Xiufang CHEN Xiangang XU Juan LI Shouzhen JIANG Lina NING Yingmin WANG Deying MA Xiaobo HU Minhua JIANG; 关键词：SIC ROUGHNESS

SiC单晶片的超精密加工被引量：27: 2006年; 半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能。本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理。加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度<5nm,且应力较小。; 李娟陈秀芳马德营姜守振李现祥王丽董捷胡小波徐现刚王继扬蒋民华; 关键词：化学机械抛光粗糙度平整度

Micro-Raman光谱鉴定碳化硅单晶的多型结构被引量：4: 2004年; 利用激光拉曼光谱仪测量了SiC单晶中不同多型的显微Raman光谱.在Raman光谱中,最大强度的FTA模和FTO模应出现在其简约波矢x等于该多型的六角度h处,据此对4H-SiC单晶中的多型进行了鉴定.同时采用高分辨X射线衍射测量了该晶片不同区域的摇摆曲线,将不同多型体的计算衍射角与实验值加以比较,对SiC晶片中的多型进行了标注,所得结论与激光Raman光谱测定结果相一致,说明Raman光谱是一种简单、快速地鉴定多型结构的强有力的工具.实验结果表明,在升华法生长4H-SiC单晶过程中,容易出现寄生6H、15R多型同4H多型的竞争生长,简单分析了寄生多型产生的原因.; 王丽胡小波董捷李娟姜守振李现祥徐现刚王继扬蒋民华; 关键词：SIC单晶

6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制被引量：1: 2006年; 本文模拟了升华法生长6H-S iC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验。结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温度场形状;下移石墨坩埚;可以增大温度场径向温度梯度。在不同的径向温度梯度下,6H-S iC晶体分别以凹界面、平界面和凸界面生长。晶体生长界面的形状和速率影响晶体多型的产生,在平界面,生长速率小于300μm/h的晶体生长条件下,可获得无多型的高质量6H-S iC单晶。; 李现祥胡小波董捷姜守振李娟陈秀芳王丽徐现刚王继扬蒋民华; 关键词：温度场

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