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国家高技术研究发展计划(2008AA03Z402)

作品数:15 被引量:26H指数:4
相关作者:徐晨沈光地韩军邢艳辉邓军更多>>
相关机构:北京工业大学教育部更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺天文地球更多>>

文献类型

  • 15篇中文期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇天文地球
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇金属有机物
  • 4篇衍射
  • 4篇双晶衍射
  • 4篇腔面
  • 4篇面发射
  • 4篇面发射激光器
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇发射激光器
  • 4篇X射线双晶衍...
  • 4篇垂直腔
  • 4篇垂直腔面
  • 4篇垂直腔面发射
  • 4篇垂直腔面发射...
  • 3篇淀积
  • 3篇气相淀积
  • 3篇晶体
  • 3篇光子
  • 3篇光子晶体
  • 3篇P型

机构

  • 10篇北京工业大学
  • 1篇教育部

作者

  • 11篇徐晨
  • 8篇沈光地
  • 6篇邢艳辉
  • 6篇韩军
  • 5篇邓军
  • 4篇解意洋
  • 2篇赵振波
  • 2篇毛明明
  • 2篇刘发
  • 2篇李建军
  • 2篇邓旭光
  • 2篇李影智
  • 2篇王宝强
  • 2篇刘英明
  • 2篇周康
  • 2篇魏思民
  • 1篇刘久澄
  • 1篇吉元
  • 1篇曹田
  • 1篇许坤

传媒

  • 4篇物理学报
  • 3篇光电子.激光
  • 3篇Chines...
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 2篇2013
  • 6篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Vertical cavity surface emitting laser transverse mode and polarization control by elliptical hole photonic crystal
2013年
The polarization of traditional photonic crystal(PC) vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) is uncontrollable,resulting in the bit error increasing easily.Elliptical hole photonic crystal can control the transverse mode and polarization of VCSEL efficiently.We analyze the far field divergence angle,and birefringence of elliptical hole PC VCSEL.When the ratio of minor axis to major axis b/a = 0.7,the PC VCSEL can obtain single mode and polarization.According to the simulation results,we fabricate the device successfully.The output power is 1.7 mW,the far field divergence angle is less than 10°,and the side mode suppression ratio is over 30 dB.The output power in the Y direction is 20 times that in the X direction.
曹田徐晨解意洋阚强魏思民毛明明陈弘达
光子晶体垂直腔面发射激光器的电流分布研究被引量:4
2010年
对氧化限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器注入到有源区的电流密度分布进行了分析研究.提出三维电流分布计算模型,研究了光子晶体结构对电流密度分布和器件串联电阻的影响.研究发现,光子晶体孔刻蚀深度越深,电流分布圆对称性越差,引起的串联电阻越大.不同光子晶体图案对电流分布的均匀性和圆对称性也有很大的影响.该模型对于研究、设计氧化限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器提供了一个有用的分析方法.
王宝强徐晨刘英明解意洋刘发赵振波周康沈光地
关键词:光子晶体垂直腔面发射激光器电流分布
垂直腔面发射激光器DBR的优化设计被引量:4
2013年
模拟分析了垂直腔面发射激光器分布布拉格反射镜铝组分不同分布对价带的影响,并对两种不同结构的器件进行了测试,测试结果表明抛物线渐变结构可以有效降低价带的势垒,进而可以改善垂直腔面发射激光器的电流热效应,为实现室温连续工作打下基础。
李鹏飞邓军陈永远杨立鹏吴波徐晨
氧化孔形状对光子晶体垂直腔面发射激光器模式的影响被引量:4
2012年
用时域有限差分方法对氧化孔限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器(VCSEL)在小氧化孔下氧化孔形状对激光器模式特性的影响进行了模拟计算.建立了三维光子晶体面发射激光器光场计算模型,分析了氧化孔形状变化对器件远场特性与频率特性的影响.研究发现,氧化孔形状可影响光子晶体VCSEL的模式特性,尤其是频谱特性.从模场分布的角度可解释为菱形氧化孔的对称性与高阶模的不一致.但随着光子晶体刻蚀深度的增加和氧化孔的增大,这种影响逐渐减小,分析解释了其原因.研究结果为提高光子晶体面发射激光器的性能提供了参考.
刘发徐晨赵振波周康解意洋毛明明魏思民曹田沈光地
关键词:光子晶体垂直腔面发射激光器时域有限差分
表面粗化高空穴浓度InGaN:Mg性能及其发光二极管应用被引量:4
2011年
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN:Mg薄膜,对不同源流量In-GaN:Mg材料特性进行了研究。光学和电学特性观测表明,当外延生长温度在760℃,三甲基铟(TMIn)摩尔流量不变时,随CP2Mg和Ⅲ族源摩尔比([CP2Mg]/[Ⅲ])增加,当In摩尔成分增加,空穴浓度也线性增加;当[CP2Mg]/[Ⅲ]比为1.12×10-3时获得4.78×1019cm-3高空穴浓度。通过原子力显微镜(AFM)观察到粗化的表面,采用InGaN:Mg薄膜作为接触层制备的发光二极管(LED)比常规LED的电荧光强度提高28%。
邢艳辉韩军邓军李建军徐晨沈光地
关键词:发光二极管(LED)
掩膜对GaAs基二维光子晶体ICP刻蚀效果的影响被引量:1
2011年
结合刻蚀GaAs基光子晶体在光子晶体垂直腔面发射激光器中的应用,研究了光刻胶、SiO2掩膜的特性以及对GaAs基二维光子晶体ICP刻蚀效果的影响,并分析了ICP刻蚀小尺寸光子晶体时,造成底面凹凸不平、侧壁粗糙、垂直度差的原因.最后,调整工艺条件,利用BP212-7CP光刻胶做掩膜,成功制作了直径为1.2~4.0μm、深度为1.5μm的侧壁光滑垂直、底面平整的高质量光子晶体结构.
徐晨王宝强刘英明解意洋沈光地
关键词:掩膜光子晶体GAAS
Improving performances of ITO/GaP contact on AlGaInP light-emitting diodes
2010年
In this paper AlGaInP light emitting diodes with different types of electrodes: Au/Zn/Au-ITO Au/Ti-ITO Au/Ge/Ni-ITO and Au-ITO are fabricated. The photoelectricity properties of those LEDs are studied. The results show that the Au/Zn/Au electrode greatly improves the performance of LEDs compared with the other electrodes. Because the Au/Zn/Au electrode not only forms a good Ohmic contact with indium tin oxide (ITO), but also reduces the specific contact resistances between ITO and GaP, which are 1.273× 10^-6 Ω·cm^2 and 1.743× 10^-3 Ω·cm^2 between Au/Zn/Au-ITO and ITO-GaP respectively. Furthermore, the textured Zn/Au-ITO/Zn electrode is designed to improve the performances of LEDs, reduce the forward-voltage of the LED from 1.93 to 1.88 V, and increase the luminous intensity of the LEDs from 126 to 134 mcd when driven at 20 mA.
李春伟朱彦旭沈光地张勇辉秦园高伟蒋文静邹德恕
关键词:TUNNELING
质子注入能量对垂直腔面发射激光器的阈值和功率的影响被引量:5
2012年
文章研究了如何兼顾质子注入型垂直腔面发射激光器的功率和阈值性能.从模拟和实验两方面分析了质子注入能量与器件功率和阈值特性的关系.发现注入能量过高时,损伤有源区,降低了功率性能.而能量过低则会减弱对注入电流的限制,增加阈值.计算和实验结果表明,对于文中的器件结构,315 keV的注入能量是合适的.在10μm的注入孔径下获得器件的阈值为4.3 mA,功率为1.7 mW.
毛明明徐晨魏思民解意洋刘久澄许坤
关键词:垂直腔面发射激光器功率阈值
MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率被引量:1
2011年
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表面有很多圆丘,其均方根粗糙度是所有样品中最高的,综合粗化的表面和优化电学特性的p-InGaN接触层的LED光功率提高23%。
韩军邢艳辉邓军朱延旭徐晨沈光地
关键词:金属有机物化学气相淀积X射线双晶衍射
MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究被引量:1
2012年
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长p型GaN:Mg薄膜,对不同二茂镁(CP2Mg)流量和Ⅴ族和Ⅲ族摩尔(Ⅴ/Ⅲ)比生长的p型GaN:Mg薄膜特性进行研究。研究表明,增加Ⅴ/Ⅲ比,可以降低螺旋位错密度,提高p型GaN晶体质量。当Ⅴ/Ⅲ比为3 800时,Cp2Mg流量最高为170sccm,获得p型GaN(002)面峰值半高宽(FWHM)最窄为232"。同时研究发现,单纯提高Ⅴ/Ⅲ比对降低刃型位错影响较不明显。
韩军冯雷邢艳辉邓军徐晨沈光地
共2页<12>
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