国家自然科学基金(60777006)
- 作品数：9 被引量：4H指数：1
- 相关作者：关承祥徐超徐玉恒范叶霞于晓艳更多>>
- 相关机构：哈尔滨师范大学哈尔滨工业大学哈尔滨理工大学更多>>
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- 不同Li／NbZr：Fe：LiNbO3晶体的生长及光折变效应的研究被引量：2
- 2008年
- 采用Czochralski技术生长不同Li/Nb双掺杂Zr:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的光学均匀性和抗光折变能力。Zr:Fe:LiNbO3晶体双折射梯度比Fe:LiNbO3晶体降低一个数量级,抗光折变能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级,发现Zr4+在LiNbO3中具有抗光折变能力。采用二波耦合光路测试不同Li/Nb的Zr:Fe:LiNbO3晶体的衍射效率、响应时间、擦除时间并计算了动态范围和灵敏度,Zr:Fe:LiNbO3晶体的响应速度,灵敏度和动态范围都比Fe:LiNbO3晶体高,它的全息存储性能优于Fe:LiNbO3晶体。
- 于晓艳荣宪伟徐超王旭宏
- 关键词：晶体光折变效应
- 近化学计量比Fe:Mg:LiNbO_3晶体生长与其存储性能被引量：1
- 2009年
- 在LiNbO3(LN)中分别掺入0.5%(摩尔分数,下同),1%和2% MgO,0.03%(质量分数)Fe2O3,配料中n(Li)/n(Nb)=1.38,采用顶部籽晶溶液生长法生长近化学计量比Fe:Mg:LiNbO3(near-stoichiometric Fe:Mg:LiNbO3,Fe:Mg:SLN)晶体。测试了晶体的红外光谱、抗光损伤能力和存储性能。结果表明:Fe:2%Mg:LN晶体的OH-吸收峰移到3535cm-1,抗光损伤能力比Fe:LN提高3个数量级。Fe:0.5%Mg:LN晶体的灵敏度、动态范围和抗光损伤能力比Fe:LN晶体分别高2.5倍,2倍和1个数量级。以Fe:2%Mg:LN晶体和Fe:LN晶体分别作为存储介质,进行大容量存储实验。在一个公共体积内实现1200幅体全息图的存储。Fe:2%Mg:LN晶体的存储质量优于Fe:LN晶体。
- 王义杰刘威范叶霞于峰孙亮关承祥徐玉恒
- 关键词：红外光谱
- Zn:Ce:Fe:LiNbO_3晶体的光折变异常温度特性
- 2010年
- 在LiNbO3(LN)中掺入摩尔分数为2%的Zn,质量分数(下同)为0.1%的Ce和0.03%的Fe,采用提拉法生长具有不同摩尔比n(Li)/n(Nb)=0.94、1.10、1.25、1.40的Zn:Ce:Fe:LiNbO3晶体。采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数,利用四波混频光路测试晶体的位相共轭性能。随着n(Li)/n(Nb)增加,Zn:Ce:Fe:LiNbO3晶体指数增益系数和响应速率增加,位相共轭反射率增加。研究Zn:Ce:Fe:LiNbO3晶体光折变温度效应时发现:在55、70℃和110℃,在指数增益系数(Γ)–温度(T)曲线和位相共轭反射率(R)–T曲线上出现峰值,即晶体的指数增益系数和位相共轭反射率增加。采用结构相变解释了Zn:Ce:Fe:LiNbO3晶体的异常温度特性。
- 范叶霞刘成龙夏士兴徐超徐玉恒关承祥金国藩
- 关键词：光折变效应
- 铟掺杂ZnGa_2O_4纳米线中的结构缺陷分析(英文)
- 2011年
- 用热蒸发的方法合成了铟掺杂的ZnGa2O4纳米线。利用透射电镜和X射线能谱对样品的结构和成分进行了研究。在"之"字形和竹节形两种形貌的纳米线中分别发现了孪晶和面位错两种缺陷。"之"字形生长的纳米折线是孪晶,沿<11-1>方向生长,孪晶角为140°。竹节形的纳米线沿<011->方向生长,竹节处存在两种面位错,面位错与生长方向分别成54°和90°角。缺陷的存在对纳米线的性质将产生重要影响。
- 张伟光荣宪伟
- 关键词：半导体
- Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO_3晶体的非挥发性存储
- 2010年
- 以Czochralski技术生长不同Li/Nb比Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体。测试晶体抗光散射能力,Li/Nb=1.38的Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光散射能力比Fe∶LiNbO3高一个数量级以上。以二波耦合光路,双波长(蓝光-红光)存储技术,测试晶体全息存储性能,结果表明双波长存储性能优于双色存储。双波长(蓝光-红光)(476nm)的光激载流子是空穴。Mn离子是浅能级,Fe离子是深能级。采用Li/Nb=0.94和1.05的Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体作为存储介质,以双波长(蓝光-红光)进行非挥发存储实验,它的非挥发衍射效率和响应速度高于双色存储。
- 张春雷范叶霞徐超方桂珍关承祥徐玉恒
- 关键词：晶体
- Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO_3晶体位相共轭性能和全息关联存储被引量：1
- 2011年
- 在同成分LiNbO3中,掺入ZnO的摩尔分数分别为1%、3%、5%、7%和9%,掺入(质量分数)0.03%MnCO3和0.08%Fe2O3,采用提拉法生长了优质Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体.测试Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-红外吸收光谱,抗光损伤能力和位相共轭性能.Zn离子浓度在7%和9%时,OH-吸收峰移到3 528cm-1,讨论OH-吸收峰移动机理.随着Zn离子浓度增加,抗光损伤能力增加.Zn离子浓度增加到7%,达到阈值.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体高二个数量级,研究高掺锌Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤增强机理.随着Zn离子浓度增加,Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭反射率降低,位相共轭响应速度增加.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭镜消除了光波的位相畸变.以Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体作存储介质进行全息关联存储实验.讨论全息关联存储的工作原理.以原图象的25%和50%进行寻址,在输出平面上接收到较完整的存储图象.
- 张春雷徐超范叶霞冷雪松许磊方桂珍关承祥徐玉恒
- Li/Nb比变化对Ce:Fe:LiNbO_3晶体的光折变性能的影响被引量：1
- 2008年
- 在LiNbO3晶体中掺进0.1wt%CeO2和0.03wt%Fe2O3以Czochralski技术生长不同Li/Nb比(0.94、1.20、1.40)Ce:Fe:LiNbO3晶体,其中Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体是化学计量比。测试了不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体抗光损伤能力,得到随着Li/Nb比的增加,晶体的抗光损伤能力增加。研究了晶体抗光损伤能力增强的机理。随着Li/Nb比的增加,晶体的响应速度和光折变灵敏度增加。测试不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体位相共轭效应,利用产生的位相共轭光波消除图像的位相共轭畸变。利用Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体做记录介质,Li/Nb=1.20的Ce:Fe:LiNbO3晶体作位相共轭镜进行全息关联存储实验。实验结果表明,存储系统具有实时处理,成像质量好,信噪比高和可反复使用的优点。
- 于晓艳荣宪伟关承祥赵朝中
- 关键词：CE:FE:LINBO3晶体光折变性能
- Sc_x:Fe_y:Cu_z:LN晶体的生长及非挥发性全息存储的研究
- 2009年
- 本文首次采用Czochralski法生长优质的Scx:Fey:Cuz:LN(x=0,1%,2%,3%,3.5%,y=0.1%,z=0.06%)晶体。测试了晶体抗光致散射能力,以二波耦合光路测试晶体的衍射效率、写入时间和擦除时间,计算光折变灵敏度和动态范围。结果表明:Sc(2mol%):Fe:Cu:LN和Sc(3mol%):Fe:Cu:LN晶体抗光致散射能力比Fe:Cu:LN晶体高两个数量级以上,Scx:Fey:Cuz:LN晶体的写入速度、光折变灵敏度和动态范围等全息存储性能优于Fe:LN晶体。首次采用氪离子激光(482.0nm,蓝光)作开关光,氦氖激光(632.8nm,红光)做记录光,以Sc:Fe:Cu:LN晶体作为双光子全息存储记录介质,实现了双光子全息存储固定(非挥发性全息存储)。
- 刘兴冷雪松于晓艳
- 关键词：衍射效率动态范围
- 近化学计量比高掺铁铌酸锂晶体的红光全息存储性能
- 2010年
- 采用提拉法生长了掺质量分数分别为0.01%,0.05%和0.10%Fe2O3的近化学计量比掺铁铌酸锂晶体(near stochiometric Fe:LiNbO3,Fe:NSLN)。采用633nm波长的激光作为光源,利用二波耦合实验和光斑畸变法研究了晶体的红光全息性能。结果显示:当铁含量小于0.05%时,随着铁含量的增加,晶体的写入时间和擦除时间变短,灵敏度增加,动态范围增大,最大衍射效率增强,抗光损伤能力降低。但当铁含量为0.10%时,最大衍射效率减小,抗光损伤能力急剧降低。结合晶体的结构缺陷模型对此现象进行了解释。
- 范叶霞夏士兴徐超徐玉恒关承祥曹良才
- 关键词：全息存储性能提拉法生长
