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福建省科技重点项目(2006H0036)

作品数:1 被引量:2H指数:1
相关作者:王启明赖虹凯成步文张永康俊勇更多>>
相关机构:厦门大学中国科学院更多>>
发文基金:福建省农科院青年科技人才创新基金福建省科技重点项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇SIGE_H...
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极型...
  • 1篇锗硅
  • 1篇锗硅合金
  • 1篇直流
  • 1篇直流特性
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇特性分析
  • 1篇晶体管
  • 1篇发射极
  • 1篇SI/SIG...
  • 1篇
  • 1篇SIGE

机构

  • 3篇厦门大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇张永
  • 2篇李成
  • 2篇陈松岩
  • 2篇赖虹凯
  • 1篇蔡坤煌
  • 1篇康俊勇
  • 1篇成步文
  • 1篇王启明

传媒

  • 2篇第十六届全国...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
1 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
氧化法制备SiGe弛豫缓冲层及其表征
制备低位错密度、表面平整、高 Ge 组分渐变的 SiGe 弛豫缓冲层具有重要的意义,它是实现 Ge 红外探测器、应变 Si-MOS 器件的基础。传统的 Ge 组分渐变缓冲层,需要很大的厚度才能实现较高 Ge 组分并将位错...
蔡坤煌张永李成赖虹凯陈松岩
关键词:SI/SIGE
文献传递
Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响被引量:2
2008年
制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍。
张永李成赖虹凯陈松岩康俊勇成步文王启明
关键词:锗硅合金异质结双极型晶体管直流特性
不同发射极指数的SiGe HBT直流特性分析
<正>SiGe HBT 具有良好的频率特性和功率特性,已经在微波领域和无线通信中得到了广泛的应用。但是,在大功率应用中,HBT 器件由于承载较大的电流而引起发射极电流集边效应和自加热等效应, 通常将器件的发射极设计为义指...
张永徐剑芳陈荔群蔡坤煌李成赖虹凯陈松岩康俊勇成步文王启明
文献传递
共1页<1>
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