浙江省自然科学基金(x405002)
- 作品数：2 被引量：7H指数：2
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- 高择优取向铌酸锶钡薄膜的射频磁控溅射制备被引量：3
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法在(100)Si单晶上预先制备出掺钾(K)的铌酸锶钡(SBN)缓冲层,利用射频磁控溅射法在缓冲层KSBN上沉积出高择优取向的铌酸锶钡薄膜,获得了磁控溅射法制备择优取向铌酸锶钡薄膜的相关工艺参数,研究发现,KSBN缓冲层能够很有效地克服衬底与SBN薄膜之间较大的晶格失配,在氧气氩气的比例为1∶2,工作气压为1·0Pa,溅射功率300W,衬底温度300℃,退火温度为800℃的工艺条件下,能够获得c轴高度择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜.利用X射线衍射仪,原子力显微镜等仪器分析了薄膜的微结构.通过研究SBN薄膜的电流-电压特性(I-V曲线),发现了类似于半导体p-n结的特性,且结效应的强弱与结晶性能的好坏和是否有缓冲层KSBN相关.
- 李跃甫叶辉傅兴海
- 关键词：磁控溅射
- 铁电钾钠铌酸锶钡薄膜电光性能的研究被引量：4
- 2006年
- 采用溶胶_凝胶法在氧化镁单晶衬底上制备了符合化学计量比的完全填充型铁电钾钠铌酸锶钡(KNSBN)薄膜,通过X射线衍射,摇摆曲线,X射线Φ扫描,扫描电子显微镜等方法研究了薄膜的微结构,采用Adachi法研究了薄膜的电光特性.实验发现,KNSBN薄膜在氧化镁(001)单晶衬底上沿c轴外延生长,K+,Na+的引入有效地提高了薄膜的横向电光系数r51.成分为K0.2Na0.2Sr0.24Ba0.56Nb2O6,K0.2Na0.2Sr0.6Ba0.2Nb2O6,K0.2Na0.2Sr0.72Ba0.08Nb2O6的三种KNSBN薄膜的r51值分别为108.52pm/V,119.98pm/V,126.96pm/V,r51的数值随Sr2+含量增加而增大.
- 康祥喆叶辉
- 关键词：钾钠铌酸锶钡
