国家重点实验室开放基金(QA200805)
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 相关作者：冯玉杰陈玉强吕江维彭鸿雁祁文涛更多>>
- 相关机构：哈尔滨工业大学牡丹江师范学院更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金黑龙江省杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程更多>>
- 直流热阴极CVD金刚石薄膜生长特性研究被引量：1
- 2010年
- 为了获得高质量的金刚石薄膜,采用直流热阴极化学气相沉积系统分别在不同基片温度和不同碳源气体含量条件下生长金刚石薄膜,利用Raman光谱、SEM和XRD检测方法研究了基片温度和碳源气体含量对金刚石薄膜生长特性的影响.结果表明,金刚石薄膜与基片Mo之间有Mo2C的过渡层存在;1000℃的温度能够促进金刚石晶体的生长,抑制其他碳杂质的形成,CH4体积分数为2%适于快速生长高纯度的金刚石薄膜.
- 吕江维冯玉杰彭鸿雁陈玉强
- 关键词：金刚石化学气相沉积
- 硼掺杂对直流热阴极CVD金刚石薄膜生长特性的影响被引量：4
- 2009年
- 采用直流热阴极CVD法以B(OCH3)3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Ram an和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响,通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现:在直流热阴极CVD系统中,低浓度硼掺杂条件下能够长时间维持稳定的辉光放电.掺硼后辉光等离子体活性基团(Hα、Hβ、C2、CH)的种类没有改变,但C2基团的浓度升高,而CH基团的浓度下降,薄膜的生长速率提高到0.65mg.cm-2.h-1.硼掺杂金刚石薄膜为多晶薄膜,晶体生长良好,取向以(111)晶面为主,质量较未掺杂薄膜有所提高.硼原子以取代或填隙的方式掺杂进入金刚石晶格,没有破坏金刚石晶体结构.
- 吕江维冯玉杰彭鸿雁陈玉强
- 关键词：金刚石化学气相沉积硼掺杂
- 温度对直流热阴极化学气相沉积硼掺杂金刚石薄膜的影响(英文)被引量：1
- 2010年
- 为了获得高品质的硼掺杂金刚石薄膜,采用直流热阴极化学气相沉积法在不同的温度下制备了硼掺杂金刚石薄膜。利用等离子体发射光谱、扫描电子显微镜、X射线衍射和Raman光谱研究了温度对硼掺杂金刚石薄膜生长特性的影响。研究发现:等离子体活性基团 C2的浓度随温度升高而增加。除了1080℃时生长的薄膜存在孔洞外,在较宽的温度范围(800～1000℃)都能够生长高质量的硼掺杂金刚石薄膜,并随温度升高薄膜质量和晶体结晶度都有所提高。与未掺杂生长的金刚石薄膜相比,掺硼薄膜即使在较低的温度(800℃)时也没有出现非金刚石相。这主要是因为掺杂剂B(OCH3)3 在气相反应中能够生成含氧活性基团,对非金刚石相具有很强的刻蚀作用。
- 吕江维冯玉杰高娜彭鸿雁陈玉强姜宏伟祁文涛
- 关键词：化学气相沉积金刚石薄膜RAMAN光谱
