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国家自然科学基金(50772096)

作品数:3 被引量:12H指数:2
相关作者:聂安民杨杭生张健英邱发敏更多>>
相关机构:浙江大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇氮化硼薄膜
  • 2篇立方氮化硼薄...
  • 1篇光谱
  • 1篇红外
  • 1篇红外光
  • 1篇红外光谱
  • 1篇OXYGEN
  • 1篇TH
  • 1篇GROWTH
  • 1篇IN_FIL...
  • 1篇INFLUE...
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇杨杭生
  • 2篇聂安民
  • 1篇张健英
  • 1篇邱发敏

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
立方氮化硼薄膜中的氧杂质被引量:4
2010年
采用等离子体增强化学气相生长技术制备立方氮化硼薄膜,系统研究了背底真空度和生长过程中氧气的存在对立方氮化硼薄膜中氧杂质含量的影响.发现把背底真空度提高至1×10-5Pa仍然不能有效消除立方氮化硼薄膜中的氧杂质.随着立方氮化硼薄膜中氧杂质的增加,其红外吸收谱的Lorentz拟合发现,在1230~1280cm-1附近出现由氧原子与硼原子结合形成的B-O键的反对称伸缩振动引起的吸收峰.该吸收峰的强度与薄膜中的氧杂质含量有较好的线性关系,因此可以通过分析该吸收峰的强度半定量地测定立方氮化硼薄膜中的氧杂质含量。
杨杭生邱发敏聂安民
关键词:立方氮化硼薄膜红外光谱
Influence of oxygen on the growth of cubic boron nitride thin films by plasma-enhanced chemical vapour deposition
2010年
Cubic boron nitride thin films were deposited on silicon substrates by low-pressure inductively coupled plasmaenhanced chemical vapour deposition. It was found that the introduction of 02 into the deposition system suppresses both nucleation and growth of cubic boron nitride. At a B2H6 concentration of 2.5% during film deposition, the critical O2 concentration allowed for the nucleation of cubic boron nitride was found to be less than 1.4%, while that for the growth of cubic boron nitride was higher than 2.1%. Moreover, the infrared absorption peak observed at around 1230- 1280 cm^-1, frequently detected for cubic boron nitride films prepared using non-ultrahigh vacuum systems, appears to be due to the absorption of boron oxide, a contaminant formed as a result of the oxygen impurity. Therefore, the existence of trace oxygen contamination in boron nitride films can be evaluated qualitatively by this infrared absorption peak.
杨杭生聂安民邱发敏
立方氮化硼薄膜的最新研究进展被引量:9
2009年
立方氮化硼(cBN)作为一种在自然界中并不存在的人造材料具有优异的理化特性.在超硬刀具、高温电子器件和光学保护膜等领域有着广泛的应用前景,已经成为材料科学的研究热点之一.但是气相生长高质量cBN薄膜仍然还有许多难点需要攻克.在综述近几年cBN薄膜研究所取得的一些突破性进展后,结合研究现状提出今后可能的主要研究方向.
杨杭生聂安民张健英
关键词:立方氮化硼薄膜掺杂
共1页<1>
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