广东省科技攻关计划(2004B10301007)
- 作品数：4 被引量：25H指数：4
- 相关作者：吴建青颜东亮钟燚卢振亚汪永清更多>>
- 相关机构：华南理工大学桂林电子科技大学萍乡高等专科学校更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术建筑科学更多>>
- ZnO半导体粉体制备工艺与电阻率的关系被引量：5
- 2007年
- 采用固相合成法制备了氧化铝掺杂的氧化锌半导体粉体,通过X-射线衍射分析,探讨了掺杂量、煅烧温度和保温时间对粉体导电性能的影响.实验发现:Al2O3的掺杂量高于0.5%(摩尔比)时,会生成ZnAl2O4尖晶石相,降低ZnO的电导率;在一定的温度和保温时间下,才能保证有足够的Al3+进入ZnO的晶格,从而获得电阻率比较低的ZnO半导体粉体;温度过高和保温时间过长都会导致Al2O3与ZnO反应生成尖晶石,减少Al3+对Zn2+的置换率,并对电子产生散射,从而导致ZnO半导体粉体的电阻率升高;当Al2O3掺杂量为ZnO的0.5%(摩尔比)时,在1300℃下保温3h所得到的ZnO粉体的电阻率为18kΩ.cm.
- 吴建青钟燚颜东亮
- 关键词：氧化锌氧化铝掺杂电阻率
- ATO包覆型导电纤维的制备被引量：11
- 2007年
- 以莫来石纤维为基体,采用共沉淀法在其表面沉积一层锑掺杂氧化锡(ATO),制得导电纤维,并研究了制备工艺对导电纤维电阻率和颜色的影响.结果表明:热处理温度为600～1 000℃时制备的导电纤维的电阻率低于50Ω.cm,与同条件下制备的ATO的电阻率相差不大;热处理温度为1 000℃以上时,由于莫来石纤维中的部分A l3+进入氧化锡晶格出现补偿效应,致使导电纤维的电阻率急剧下降;导电纤维的亮度L*大于同温度下制备的ATO的亮度,而且差值都在10个单位以上;导电纤维与硫酸钡标准样品的色差ΔE小于10个NBS.
- 吴建青颜东亮汪永清卢振亚
- 关键词：锑掺杂氧化锡导电纤维包覆
- 导电纤维的制备及在防静电陶瓷中的应用被引量：8
- 2010年
- 以氧化硅玻璃纤维为载体,采用非均匀成核法在其表面包覆一层锑掺杂二氧化锡(ATO)制备了导电纤维。导电纤维的电阻率随热处理温度升高的变化趋势与ATO基本一致,包覆物加入率为100%、75%、50%、25%和12.5%的ATO包覆氧化硅纤维在500～1200℃处理后的电阻率全部低于200?·cm。由于较大的长径比所导致的桥联效应,少量的导电纤维在陶瓷中就能形成完善的导电网络,同时也能极大减少防静电陶瓷中ATO的用量,包覆物加入率为12.5%的ATO包覆纤维作为导电填料时,能节省约77.8%的ATO。
- 颜东亮吴建青陈林
- 关键词：导电纤维ATO锑掺杂二氧化锡温度升高导电填料长径比
- 包覆型导电填料的制备及在防静电陶瓷中的应用被引量：6
- 2008年
- 以氧化硅粉体为载体,采用非均匀成核法制备了ATO包覆氧化硅导电粉。对比了该导电粉与ATO在防静电陶瓷中的应用效果。结果表明:以包覆型导电粉作为导电填料制备防静电陶瓷能够大大地减少ATO的用量,其中包覆物加入率为12.5%、25%、50%、75%和100%的ATO包覆氧化硅粉体加入陶瓷后分别能节省大约66%、40%、35%、30%和25%的ATO用量。
- 颜东亮吴建青钟燚
- 关键词：ATO包覆导电填料
