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贵州大学自然科学青年科研基金([2009]-017)

作品数：1 被引量：9H指数：1
相关作者：张锗源杨法明邓朝勇张荣芬李绪诚更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇晶体管
  • 1篇击穿电压
  • 1篇功率VDMO...
  • 1篇功率场效应
  • 1篇功率场效应晶...
  • 1篇SIC材料
  • 1篇VDMOS
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 1篇贵州大学

作者

  • 1篇杨发顺
  • 1篇李绪诚
  • 1篇张荣芬
  • 1篇邓朝勇
  • 1篇杨法明
  • 1篇张锗源

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
功率VDMOS器件的研究与发展被引量：9
2011年
简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析。对一些新型衍生结构(包括侧面多晶硅栅VDMOS、边氧沟道VDMOS和浮岛VDMOS)的特点进行了分析,叙述了新型SiC材料在VD-MOS器件中应用的最新进展,并指出了存在的问题和未来发展趋势。
杨法明杨发顺张锗源李绪诚张荣芬邓朝勇
关键词：击穿电压导通电阻SIC材料
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