云南省自然科学基金(2008CC012)
- 作品数：12 被引量：21H指数：3
- 相关作者：杨宇王茺李亮鲁植全杨洲更多>>
- 相关机构：云南大学中国科学院昆明理工大学更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 离子束溅射自组装生长Ge/Si量子点浸润层的研究
- 采用离子束溅射技术,通过控制沉积量、温度等参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,并研究浸润层随生长参数的变化情况。结果表明,在离子束溅射...
- 张学贵王茺杨杰鲁植全潘红星李亮杨宇
- 关键词：离子束溅射GE量子点表面形貌RAMAN光谱
- 文献传递
- 温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响被引量：3
- 2013年
- 本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性。结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小;亚阈值电流略有增大;亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系;阈值电压不断地向正方向偏移。通过考虑自热效应的影响,不同Ge组分器件的漏源饱和电流均有不同程度的降低,且随着Ge组分的增加,漏源饱和电流的降低幅度增大。
- 于杰王茺杨洲胡伟达杨宇
- 关键词：温度P-MOSFET自热效应
- Ge/Si量子点生长的研究进展被引量：1
- 2010年
- 回顾了近年来在Ge/Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法,如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等,以及Ge量子点的演变及组分变化。
- 鲁植全王茺杨宇
- 关键词：图形衬底
- 磁控溅射生长Ge/Si纳米岛的AFM和Raman光谱研究
- 采用AFM和Raman光谱对磁控溅射生长的一系列Ge/Si(100)纳米岛样品进行了研究,具体分析了Ge的沉积量、Ge的生长温度及Si缓冲层的生长温度等对Ge岛的影响。结果表明,在我们研究的范围内,随着沉积量增加Ge岛的...
- 鲁植全王茺杨杰张学贵潘红星李亮杨宇
- 关键词：AFMRAMAN光谱
- 文献传递
- 缓冲层生长温度对量子点生长的影响
- 采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅基底上制备了一系列Ge量子点样品。利用Raman光谱和AFM对样品进行表征,系统研究了随着缓冲层生长温度的改变,量子点的面密度和尺寸的演变规律。实验结果表明,通过控制缓冲层的生长...
- 潘红星王茺熊飞张学贵杨杰李天信杨宇
- 关键词：锗量子点离子束溅射
- 文献传递
- 溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响被引量：1
- 2012年
- 利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。
- 叶小松王茺关中杰靳映霞李亮杨宇
- 关键词：磁控溅射表面形貌
- Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响被引量：2
- 2011年
- 利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGex沟道的长度,并结合相关物理模型,在低电场情况下,沟道中的空穴迁移率与总电阻对沟道长度的微分成反比关系.
- 杨洲王茺王洪涛胡伟达杨宇
- 关键词：沟道P-MOSFET空穴迁移率栅电容
- Ge在Si(100)-2×1表面化学吸附的第一性原理研究被引量：2
- 2012年
- 应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si(100)-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影态密度。计算结果表明:Ge原子在基位(pedestal)吸附最稳定。另外,在吸附Ge原子之后,我们得到了一个具有完整对称性的特殊Si原子二聚体结构。此结构中相邻的两个二聚体链互相平行且分别与Si表面平行,每对二聚体Si原子呈对称分布。
- 陆顺其王茺靳映霞卜琼琼杨宇
- 关键词：化学吸附密度泛函理论
- 绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析被引量：1
- 2013年
- 利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SOI p-MOSFET相比,SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍；其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数,就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较为深入的研究.随着Ge合金组分的增大,SGOI p-MOSFET的总体电学性能有所提高.
- 于杰王茺杨洲陈效双杨宇
- 关键词：P-MOSFET
- 温度对SiO_2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响被引量：2
- 2010年
- 采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品。原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同。当衬底生长温度达到500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成"Ge纳米点的Si窗口"。在此温度条件下,外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3.2×1010cm-2的Ge纳米点。
- 夏中高王茺鲁植全李亮杨宇
- 关键词：磁控溅射SIO2薄膜
