北京市教委资助项目(2002KJ008)
- 作品数：2 被引量：8H指数：2
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- 相关机构：北京工业大学清华大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市教委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 局域铂掺杂寿命控制快恢复二极管的研究被引量：4
- 2006年
- 利用质子辐照感生的局域高浓度空位缺陷对样品表面层预生成的铂硅合金中的铂原子进行汲取,形成与感生缺陷分布相似的局域铂分布,首次实现了具有局域铂掺杂的快恢复二极管中的局域寿命控制技术。报告了改变质子注入剂量对二极管反向恢复时间和反向漏电流等参数的影响。结果表明,当辐照剂量较低时,随着辐照剂量的增加,电活性铂浓度不断提高,器件性能不断优化。而辐照剂量增加到一定程度,有效区电活性铂杂质的浓度会趋向饱和,二极管反向恢复时间基本上不再继续减小。
- 韩宝东胡冬青谢书珊贾云鹏亢宝位
- 关键词：辐照剂量快恢复二极管
- 高压功率二极管中局域铂掺杂寿命控制的研究被引量：4
- 2004年
- 利用质子辐照形成的集中于射程末端的高密度缺陷在退火时对铂的吸杂作用 ,实现了硅高压功率P i N二极管的局域铂掺杂。经过 70 0°C、半小时低温退火 ,在已进行质子辐照的样品中 ,铂会由铂硅合金阳极向器件内部扩散 ,并形成与质子辐照感生缺陷分布相似的铂的分布。最终 ,质子辐照缺陷峰附近处的铂浓度将会是缺陷拖尾区中铂浓度的 1.5～ 2倍。与传统扩铂技术相比 ,用此新技术制成的P i N功率二极管有可能实现更快的恢复速度、更大的软度恢复因子和更低的反向漏电。
- 贾云鹏王俊亢宝位张斌
- 关键词：局域寿命控制质子注入功率二极管
