国家自然科学基金(60225014)
- 作品数：4 被引量：8H指数：1
- 相关作者：施毅郑有炓濮林田俊王志功更多>>
- 相关机构：南京大学东南大学中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- Coulomb Blockade Oscillations in Silicon Single-electron Transistor with a Strong Gate-dot Coupling
- ＜正＞A novel structure of Si single-electron transistor（SET） with strong gate-dot coupling is developed,where th...
- Jiezhi ChenYi ShiLin PuYoudou ZhengShibing LongMing Liu
- 文献传递
- 基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性
- 2008年
- 利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.
- 闾锦陈裕斌左正施毅濮林郑有炓
- 关键词：电容-电压特性自组织生长
- 高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性
- 2007年
- 为了增强单电子晶体管中栅极和沟道量子点之间的耦合度,提高增益调节系数,发展了结合预制控制栅、电子束直写、各向异性腐蚀和热氧化的制备工艺.在室温下对器件的电学特性进行测量,观察到了典型的库仑振荡效应和负微分电导效应.基于量子点能级分立模型,分析了器件的输运原理,重点研究了强耦合作用对器件输运性质的影响.研究表明,通过控制量子点的热氧化时间,将器件量子点尺寸减小到7·6nm,增益调节系数提高到0·84.
- 陈杰智施毅濮林龙世兵刘明郑有炓
- 关键词：单电子晶体管库仑阻塞
- 金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点/Si多层异质薄膜的特性
- 2006年
- 研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/aSi量子点多层结构,然后在较低温度下(低于550℃),利用金属Ni诱导多层结构中的aSi层横向结晶制备出高质量的Ge/Si量子点超晶格结构.通过光学显微镜、电子显微镜和显微喇曼光谱等手段测量研究表明,与单一aSi系统的金属Ni诱导相似,该多层结构中的各αSi层退火后也具有(110)择优取向,同时晶粒的直径较大,约在4～5μm左右.Ge点中的应力状态的变化揭示出诱导结晶后形成高质量的晶态Si与Ge纳米点界面.
- 鄢波张匡吉施毅濮林韩平张荣郑有炓
- 关键词：金属诱导横向结晶
- CMOS1.4THzΩ155Mb/s光接收机差分跨阻前置放大器被引量：8
- 2004年
- 采用本土 CSMC 0 .6μm标准 CMOS技术设计实现了一种用于光纤用户网的 CMOS跨阻前置放大器 .电路采用差分结构以提高共模抑制比 ,减小高频下电源波动和寄生反馈通路的干扰 ,抑制衬底耦合噪声和温漂 ,从而有效抑制前置放大器的噪声 .同时前置放大器为双端输出 ,易与后面差分结构的主放大器级联 ,无需单端 -双端转换电路和片外元件 ,电路结构更为简单 ,实现了单片集成 .电路采用单级放大结构 ,比通常的多级电路更为稳定 .测试结果表明 ,前置放大器在 5 V电源电压下增益 -带宽积可达 1.4 THzΩ,等效输入电流噪声为 1.81p A/ Hz,可稳定工作在 15 5 Mb/ s(STM- 1)
- 田俊王志功梁帮立熊明珍施毅郑有炓
- 关键词：跨阻前置放大器差分结构低噪声
- Silicon Nanocrystal Memories
- ＜正＞In this paper,we firstly present an overview of silicon nanocrystal memories.The performance and fabricatio...
- Y.Shi~*
- 文献传递
