中国科学院知识创新工程重要方向项目(084N541121)
- 作品数:2 被引量:6H指数:1
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- X射线吸收谱对Ga_(0.946)Mn_(0.054)As薄膜中缺陷的研究
- 2011年
- 采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(MnI)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(TS=200℃)下Ga0.946Mn0.054As晶格中缺陷分布以As反位原子(AsGa)为主;较高生长温度(TS>230℃)时样品中主要缺陷是Mn间隙(MnI)原子.同时,在较高低温退火温度(250℃)下可以使样品内部MnI向表面大量析出,减少反铁磁相,达到最高居里温度(130K).XAS结果还表明,退火可以使得表面的AsGa缺陷脱附,驱动周围的MnI原子填补AsGa缺陷留下的空位,提高MnGa原子浓度.
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- 关键词:X射线吸收谱
- NiO透明导电薄膜的制备及在聚合物太阳能电池中的应用被引量:6
- 2012年
- 采用磁控溅射法制备出透明导电氧化物NiO薄膜.椭偏(SE)测试表明NiO薄膜在可见光区域透光性良好,通过调节生长、退火温度可调控NiO的折射率.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)手段研究表明,通过退火、改变衬底温度等,可有效改变Ni薄膜的晶体结构以及表面形貌,实现对NiO导电性的调控.采用优化后的NiO材料为阳极阻挡层制备出的聚合物太阳能电池器件的效率为2.26%,是同等条件下采用PEDOT:PSS阻挡层的电池器件的3倍以上.
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- 关键词:聚合物太阳能电池