国家自然科学基金(10564001)
- 作品数：6 被引量：17H指数：2
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- 相关领域：理学核科学技术机械工程自动化与计算机技术更多>>
- Si基半导体中微观缺陷和微量元素行为的正电子湮没研究
- 测量了不同C或B含量经不同温度下烧结制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明,石墨的商谱谱峰最高,SiO的谱峰次之,B的谱峰最低。随着B...
- 韩艳玲陈玉辉韩丽芳黄宇阳邓文
- 关键词：掺硼正电子湮没
- 文献传递
- Fe掺杂对CuAlO2微结构和热电性能的影响
- 测量了Fe掺杂对CuAlFeO(0≤X≤0.20)的符合正电子湮没辐射多勒展宽谱和寿命谱,获得样品中3d电子和缺陷的信息。结果表明,1)Fe掺杂增强CuAlFeO(0≤x≤0.2)正电子湮没辐射Doppler展宽谱的3d...
- 陈松唐宇王选理韩艳玲黄宇阳邓文
- 关键词：正电子湮没
- 文献传递
- 二能级原子与增光子相干态光场相互作用的非经典特性被引量：2
- 2007年
- 通过建立二能级原子与增光子相干态光场相互作用的多光子Janes-Cumming模型,用数值模拟方法研究原子布居概率随增光子数m的变化特性,并讨论了原子偶极矩正交分量的压缩效应.计算结果表明,在增光子数m增大时(m≤2),原子布居概率随时间变化呈现周期性的塌缩与恢复,而原子偶极矩分量在增光子数m=1,2时产生压缩.
- 杨庆怡庞华锋
- 关键词：量子光学
- 热处理及灯光辐照对单晶硅太阳电池输出特性影响的相关研究被引量：1
- 2008年
- 对单晶硅太阳电池进行150℃、200℃的热处理,发现其输出特性有所提高。将单晶硅太阳电池在灯光下辐照12小时,在灯光辐照过程中,样品的转换效率随光照时间的增加而呈总体下降的态势,且下降一定程度后转换效率基本不变,对辐照过的样品分别进行150℃、200℃的热处理,热处理后的电池样品的转换效率得到了回复。
- 王宇鑫朱彦彦熊超李玉霞邓文
- 关键词：太阳电池
- 低本底符合正电子湮没辐射多普勒展宽装置的研制被引量：7
- 2008年
- 根据正电子湮没的特点，研制了双高纯锗探头-多参数分析器符合正电子湮没辐射多普勒展宽装置，通过采用符合技术，大幅度地降低了正电子湮没辐射多普勒展宽谱的本底，谱线的峰高与本底之比高于10^5。该装置可用于研究原子的电子动量分布。
- 邓文黄宇阳熊超孙顺平温新竹
- 关键词：本底
- 高温超导体的微观缺陷和电子密度随温度的变化被引量：1
- 2008年
- 通过分析掺Zn和掺Ga的Bi系超导体在降温(温度从295K-30K)过程中的正电子寿命谱,结果表明:超导体在降温的过程中,由于热膨冷缩效应使得基体和缺陷处的电子密度整体性升高。但在超导临界温度转变点Tc附近,由于发生了正常态到超导态的转变,这种转变明显改变了高温超导体的电子态。随着温度的降低,当超导体的温度接近Tc时,超导体中的自由电子形成库柏对,使得基体以及缺陷处的自由电子密度降低,τ1,τ2和τm值升高。在转变温度点Tc,τ1,τ2和τm出现一个峰值,而自由电子密度nb出现了极小值。
- 江海锋邓文
- 关键词：高温超导体正电子湮没
- 光子晶体负折射的计算机仿真研究被引量：1
- 2008年
- 在计算机上采用MATLAB编程进行理想透镜和负折射三棱镜的光路仿真,分析光在光子晶体中的成像条件,重点计算一种典型的二维光子晶体:负折射三棱镜光子晶体的色散特性。结果发现,光子晶体负折射成像的条件是晶体两侧的折射率与晶体折射率必须绝对值相等,晶体的厚度必须大于光源到晶体的距离;光线在进入负折射率光子晶体三棱镜时,会存在一个最大偏向角,负折射三棱镜光子晶体可以通过调节光子晶体的结构参数来改变其色散特性。因此,在实际应用中可以利用光子晶体的色散特性,通过调节相关的结构参数来对分光仪和波分复用/解复用器等光学器件进行相关的性能优化。
- 王宇鑫熊超温新竹李玉霞孙海金邓文
- 关键词：光子晶体负折射
- 普遍意义下介观RLC并联电路的量子化及在真空态下的量子涨落被引量：5
- 2009年
- 对具有普遍意义的介观RLC并联电路进行量子化并对各支路电流与电压的量子涨落进行研究,同时分析耗散电阻对两个支路的量子涨落所产生的影响。结果表明:各支路的量子涨落均与电路元件的参数有关并且随时间而衰减;而耗散电阻对电感支路和电容支路量子涨落的衰减因子及其系数均产生影响,对两个支路电流与电压的量子涨落的衰减因子产生的影响相同,而对其系数产生的影响不同。当电感支路与电容支路的耗散电阻相同时,两个支路的电压涨落与耗散电阻有关,而电流涨落不受耗散电阻的影响。
- 杨庆怡易施光
- 关键词：量子光学量子涨落量子化介观电路耗散真空态
