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Na_(0.25)K_(0.25)Bi_(0.5)TiO_3无铅压电陶瓷的介电特性研究被引量：11: 2006年; 用固相反应法制备了Na_(0.25)K_(0.25)Bi_(0.5)TiO_3(NKBT50)陶瓷,研究了该陶瓷在室温至400℃温度范围内的介电性能.发现该陶瓷的介电温谱与烧结气氛、极化状态有关.在空气中烧结的未极化样品在70℃附近存在介电和损耗峰,而极化后及在氧气氛中烧结的样品并不存在该介电、损耗峰.分析认为70℃的介电和损耗峰与氧空位形成的缺陷偶极子的极化弛豫有关.热激电流显示,陶瓷的去极化温度为225℃,与此相对应的介电、损耗峰也与氧空位有关.; 赵苏串李国荣张丽娜王天宝丁爱丽; 关键词：介电性能氧空位

铁电材料的纳米尺度压电响应力显微术研究进展被引量：4: 2005年; 压电响应力显微术是在原子力显微镜的基础上,利用材料自身逆压电效应来探测样品表面形变的一类技术总称.现已作为铁电材料研究的重要手段,应用于纳米尺度畴结构的三维成像、畴结构的动态研究、畴结构控制和微区压电、铁电、漏电等物理性能表征等领域.本文就近年来利用压电响应力显微术对铁电材料的研究方面作一综述.; 余寒峰曾华荣初瑞清李国荣殷庆瑞; 关键词：铁电畴

The simplified material parameter equation for elliptical cylinder cloaks被引量：2: 2009年; We simplify the material parameter equation for elliptical cylinder cloaks under transverse-electric and transverse- magnetic models, respectively, and confirm these simplified equations by numerical simulations. As a result, the number of the component parameters is reduced from three to two, which simplifies the design of meta-materials and thus opens up the possibility of achieving elliptical cylinder cloaks in an easy way.; 马华屈绍波徐卓张介秋王甲富; 关键词：INVISIBILITY METAMATERIALS

铁电畴的扫描探针声学显微术被引量：1: 2005年; 一种新的表征技术——扫描探针声学显微成像技术(Scanning Probe Acooustic Mi-croscopy)已在我们实验室建立起来,可以用它来直接观察PMN-PT弛豫铁电单晶、透明PLZT陶瓷、无铅Bi4(Ti,Nb)3O12陶瓷等材料的纳米极性微区和弹性作用区,并显示了在低频工作状态下可以达到10nm的分辨率.; 余寒峰殷庆瑞; 关键词：扫描探针铁电畴

强发射电流反铁电冷阴极材料的实验研究: 2008年; 采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷样品.通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性,得到了激励电压对发射电流的影响规律,发射电流随激励电压增加而增加,当激励电压大于1.5 kV时,发射电流趋于饱和.在单脉冲激励下进行电子发射实验,得到如下结果:在激励电压为800 V、抽取电压为0 V的条件下,发射电流密度为1.27 A/cm2;当抽取电压增加到4 kV时,获得了1 700 A/cm2的大发射电流密度.研究结果表明,室温下PLZST的反铁电陶瓷可在较低激励电压下实现电子发射,发射电流密度大,能够工作于4 Pa的低真空环境中.; 盛兆玄冯玉军徐卓孙新利黄璇; 关键词：反铁电陶瓷电子发射

PZT铁电薄膜纳米尺度畴结构的扫描力显微术研究被引量：16: 2003年; 利用扫描力显微术中压电响应模式原位研究了 (111)择优取向的PZT6 0 4 0铁电薄膜的纳米尺度畴结构及其极化反转行为 .铁电畴图像复杂的畴衬度与晶粒中的畴排列和晶粒的取向密切相关 .直接观察到极化反转期间所形成的小至 30nm宽的台阶结构 ,该台阶结构揭示了 (111)取向的PZT6 0 4 0铁电薄膜在极化反转期间其畴成核与生长机理主要表现为铁电畴的纵向生长机理 .; 曾华荣李国荣殷庆瑞唐新桂; 关键词：PZT薄膜铁电薄膜极化反转

Nb掺杂Bi_4Ti_3O_(12)层状结构铁电陶瓷的电行为特性研究被引量：32: 2005年; 采用固相烧结工艺制备了Nb5+掺杂的Bi4Ti3O12层状结构铁电陶瓷.运用XRD 和AFM对Bi4Ti3-xNbxO12+x/2材料的微观结构进行表征,发现所制备的陶瓷均具有单一的正交相结构,抛光热腐蚀表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构.通过对材料直流电导率与温度关系的Arrhenius拟合,分析丁Bi4Ti3-xNbxO12+x/2的导电机理. Nb5+掺杂提高了材料的介电常数,但居里温度随掺杂含量的增加呈线性下降趋势.DSC结果显示Bi4Ti3-xNbxO12+x/2材料在居里温度处经历了一级铁电相变.样品的铁电性能测试结果表明, Nb5+掺杂Bi4Ti3O12提高了材料的剩余极化Pr,这主要是由于Nb5+取代Ti4+大大降低了材料中氧空位的浓度,使得氧空位对畴的钉扎作用减弱的缘故.; 张丽娜李国荣赵苏串郑嘹赢殷庆瑞; 关键词：活化能铁电性能 BI4TI3O12

铅基弛豫铁电单晶体的生长技术被引量：1: 2007年; 铅基弛豫铁电单晶体由于其优异的压电性能在机电换能领域具有广泛的应用前景.介绍了铅基弛豫铁电单晶体生长技术的研究进展,比较了不同生长技术的优缺点,指出了目前晶体生长中出现的问题,并展望了其研究方向.; 曹林洪姚熹徐卓惠曾哲; 关键词：BRIDGMAN

高压电脉冲反铁电调节器的实验研究被引量：3: 2003年; 基于电场诱导的反铁电相向铁电相转变中伴随有巨大电能量吸收的原理,实验研究了反铁电调节器对高压电脉冲的调节作用.工作电压是幅值为50kV、宽度为3.75μs的方型脉冲电压,反铁电调节器由锆锡钛酸铅反铁电陶瓷组成.实验结果显示,反铁电调节器消除了电脉冲前沿的上冲电压峰,填补了后沿的电压波谷,使电脉冲波形平滑化,从而达到了调节电脉冲波形的目的.测量得到的动态电滞回线结果表明,在上述电脉冲作用下材料发生了反铁电相与铁电相之间的转换.; 张毅杜金梅袁万宗刘高旻王海晏徐卓冯玉军; 关键词：调节器

多层晶粒生长法制备织构化CaBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷被引量：6: 2005年; 采用新型的丝网印刷晶粒定向技术,以Bi2O3,CaCO3和Ti O2纳米粉体为原料,无需模板晶种直接制备出高度织构化的CaBi4Ti4O15陶瓷.系统研究了烧结温度、时间、升温速度以及原料粉体颗粒度对晶粒定向的影响,在1000～1180℃范围内烧结4h后获得高达94.1%的晶粒取向度.利用XRD和SEM等手段探讨了丝网印刷工艺的晶粒定向生长机理,认为丝网印刷可获得极薄的颗粒层,层间存在间隙,各层内的颗粒由于在平行界面方向生长不受限制,使其该界面方向的晶粒尺寸大于其它方向,从而最终得到晶粒高度定向的陶瓷.; 李永祥杨群保曾江涛易志国

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国家重点基础研究发展计划(2002CB613307)