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CTLA陶瓷微波介电性能及烧结特性研究被引量：11: 2012年; 采用固相反应法制备了0.65CaTiO3-0.35LaAlO3(CTLA)陶瓷,研究了CTLA陶瓷的物相组成、烧结特性及微波介电特性。结果表明,CTLA陶瓷只含有Ca0.65La0.35Al0.35Ti0.65O3主晶相,不存在第二相。烧结温度在1 380～1 450℃间,陶瓷的微波介电性能最佳,介电常数εr=44.5,频率温度系数τf≈0,品质因数与频率之积Q×f≈43 948GHz。当w(Nb2O5)=10%时能使陶瓷致密化烧结温度降到1 300℃,但微波性能变差,εr=38.3,τf=-2.8×10-6/℃,Q×f=13 260GHz。; 方有维刘林庄文东唐斌张树人; 关键词：微波介质陶瓷介电常数品质因数

r(Nd)/r(Bi)对Ba_(0.75)Sr_(0.25)(Nd_xBi_(1-x))_2Ti_4O_(12)微波陶瓷性能的影响: 2012年; BaR2Ti4O12(R为稀土元素)系固溶体有很好的微波介电性能,尤其是Nd系材料有很高的介电常数(εr)和高品质因数(Q×f),该文研究了不同Nd/Bi比对Ba0.75Sr0.25(NdxBi1-x)2Ti4O12微波介质陶瓷结构性能的影响。当x=0.75时,即摩尔比x∶(1-x)=3∶1时(缩写为B13)有很好的介电性能:εr=118.5,Q×f=4 607(f=2.8GHz),谐振频率温度系数τf=-1.3×10-6℃-1。对不同Nd/Bi比的样品在1 250℃到1 400℃烧结3h后的陶瓷进行XRD分析后发现,陶瓷主相为BaNd2Ti4O12,有少量第二相Ba2Ti9O20。对Bi含量逐渐增加的陶瓷样品进行微观分析可知,Bi有助于致密度的提高和晶粒的增长,随着Nd/Bi比的减小,εr慢慢增大,τf渐渐趋向于0并向负方向移动,但同时降低了Q×f值。; 龙明珠庄文东唐斌余盛全张树人; 关键词：微波陶瓷介电性能

(Ba_(1-x)Sr_x)La_4Ti_4O_(15)(x=0.8～0.95)陶瓷的微结构及微波介电性能研究被引量：5: 2012年; 采用固相反应法制备了（Ba1-xSrx）La4Ti4O15（x=0.8~0.95）复合体系微波介质陶瓷,并对其进行物相组成、晶体结构分析以及微波介电性能的研究.研究结果表明,（Ba1-xSrx）La4Ti4O15陶瓷主晶相为SrLa4Ti4O15,并伴随有第二相SrLa8Ti9O15.SEM观察表明,Ba0.2Sr0.8La4Ti4O15陶瓷内部微观结构致密,晶粒尺寸在10~20μm之间,晶界清晰.随着x值逐渐增大,（Ba1-xSrx）La4Ti4O15陶瓷中晶粒形态发生变化,气孔增多.在x=0.8时,（Ba1-xSrx）La4Ti4O15陶瓷具有优良的微波介电性能,即εr=40.86,Q×f≈62806 GHz,τf=20×10 6/℃.随着Ba2＋的含量逐渐增加,该陶瓷的介电常数εr单调上升,品质因子Q×f值增加,说明适量的Ba2＋替代Sr2＋能改善陶瓷的微波介电性能.; 刘林方有维邓新峰庄文东唐斌张树人; 关键词：微波介质陶瓷类钙钛矿结构微波介电性能

H_3BO_3或SiO_2掺杂对CTLA陶瓷微波介电性能的影响被引量：3: 2012年; 研究了H3BO3或SiO2掺杂(质量分数为0.02%～2.00%)对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度、晶体结构及微波介电性能的影响。结果表明,微量的H3BO3或SiO2掺杂可使0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度从1 380℃降至1 340℃,2.00%以内的H3BO3或SiO2掺杂不会改变陶瓷的物相组成。在H3BO3掺杂质量分数为2.00%时,样品的微观形貌发生了很大的改变,烧成的陶瓷稀疏多孔,密度急剧下降。研究表明,H3BO3或SiO2掺杂对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的介电常数εr及谐振频率温度系数τf没有很大的影响,但降低了陶瓷的品质因数Q。当质量分数为0.02%时,H3BO3或SiO2掺杂后的0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的微波介电性能最佳:H3BO3掺杂的陶瓷样品的εr=41.65,品质因数与频率之积Q×f=48 565GHz,τf≈-1μ℃-1;SiO2掺杂的陶瓷样品的εr=41.48,Q×f=39 491GHz,τf≈-1μ℃-1。; 刘林方有维庄文东唐斌周晓华张树人; 关键词：腔体滤波器微波介质陶瓷 CATIO3 LAALO3

Ba_(0.2)Sr_(0.8)La_4Ti_4O_(15)微波介电陶瓷的两步烧结法制备及性能表征被引量：1: 2013年; 采用两步烧结法制备了Ba0.2Sr0.8La4Ti4O15微波介电陶瓷,并通过分析陶瓷的晶相、显微结构及介电性能,与采用传统高温直接烧结法制得的陶瓷样品进行了对比。结果表明,较之高温直接烧结法,采用两步烧结法可通过较长时间保温而制备出粒度小而均匀、无裂纹且介电性能较好的陶瓷。在一次烧结温度为1 600℃、二次烧结温度为1 500℃并保温10 h条件下所制陶瓷介电性能最优:εr=46.52,Q.f=65 496 GHz,τf=–12.1×10–6/℃。; 王娅张树人周晓华; 关键词：微波陶瓷 BA0 介电性能

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国际科技合作与交流专项项目(0102010DFB13800)