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国家自然科学基金(21263006)

作品数:13 被引量:15H指数:3
相关作者:赵宗彦张虽栓杨文玲赵响段志刚更多>>
相关机构:昆明理工大学河南质量工程职业学院云南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金云南省教育厅科学研究基金更多>>
相关领域:理学化学工程电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 13篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 4篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇电性能
  • 4篇陶瓷
  • 4篇微波介电
  • 4篇介电
  • 3篇微波介电性能
  • 3篇介电性
  • 3篇介电性能
  • 3篇光催化
  • 3篇TIO
  • 3篇催化
  • 2篇压电
  • 2篇微波介质
  • 2篇微波介质陶瓷
  • 2篇介电陶瓷
  • 2篇介质陶瓷
  • 2篇光催化性
  • 2篇光催化性能
  • 2篇粉体
  • 2篇NS
  • 2篇OPTICA...

机构

  • 10篇昆明理工大学
  • 6篇河南质量工程...
  • 3篇云南大学
  • 2篇西南林业大学
  • 1篇河南科技大学

作者

  • 9篇赵宗彦
  • 6篇张虽栓
  • 3篇杨文玲
  • 2篇朱忠其
  • 2篇赵响
  • 2篇段志刚
  • 2篇韩香菊
  • 1篇彭智敏
  • 1篇李延垒
  • 1篇柳清菊
  • 1篇李清玉
  • 1篇易娟
  • 1篇李秋红

传媒

  • 3篇中国陶瓷
  • 2篇Journa...
  • 2篇压电与声光
  • 2篇昆明理工大学...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇化学进展
  • 1篇Chines...
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
溶液浓度对共沉淀法制备ZnNb_2O_6粉体及陶瓷性能的影响被引量:1
2017年
以Zn(NO_3)_2溶液和Nb_2O_5凝胶为原料,NH_3·H_2O为沉淀剂,采用共沉淀法制备了ZnNb_2O_6超细粉体。用XRD、TEM、SEM等对所制备的超细粉体进行了表征,并重点研究了不同反应溶液浓度对超细ZnNb_2O_6粉体结构和性能的影响。结果表明,本方法所制备的正交相ZnNb_2O_6粉体,其晶粒尺寸可控制在100~300 nm之间;随反应溶液浓度的提高,所合成粉体的晶型没有太大的变化,均为正交相,空间群Pnca[60],但是晶体结构的完整性略有不同;随着反应溶液浓度的增加,所合成粉体的晶粒尺寸先减少后增大,团聚现象加重;不同反应溶液浓度制备的粉体,所对应的ZnNb_2O_6陶瓷的致密度有所不同。当反应溶液浓度为0.5 mol/L时,烧结温度为1200℃下制备的陶瓷,晶体生长均匀,致密性可达到96.4%。,最佳微波介电性能为介电常数ε_r=24.4,谐振频率温度系数τ_f=-40×10^(-6)/℃,品质因数Q×f=78880 GHz。
杨文玲杜勇赵宗彦张虽栓贺基凯
关键词:微波介质陶瓷共沉淀微波介电性能
BBC掺杂BSNN-BSZT陶瓷低温烧结性能的研究
2017年
采用传统的两步固相反应法制备了一种低温烧结的CuBBiO_4-(Ba_(0.8)Sr_(0.2))(Ni_(1/3)Nb_(2/3))-(Ba_(0.8)Sr_(0.2))(Zr_(0.5)Ti_(0.5))(BBC-BSNN-BSZT)压电陶瓷,并研究了CuBBiO_4(BBC)掺杂量对陶瓷微观形貌、相结构、介电、压电性能和烧结温度的影响。研究结果表明,制备的陶瓷样品为单一的钙钛矿相,未发现其他杂相;掺杂的BBC低熔点化合物在烧结中提供适量液相,促进烧结,样品可在925℃烧结致密。该压电陶瓷材料的居里温度由158℃提升到230℃;当掺杂w(BBC)=0.75%(质量分数)时,陶瓷达到最佳压电性能:压电常数d_(33)=613pC/N,机电耦合系数k_p=0.7,介电常数ε_r=3 926,介电损耗tanδ=0.005 2,品质因数Q_m=70。居里温度T_C=227℃。
杨文玲张虽栓赵宗彦
关键词:压电性能
非金属对锐钛矿相TiO_2电子结构和光学性质掺杂效应的第一性原理计算(英文)被引量:3
2015年
采用基于密度泛函理论超软赝势平面波方法的第一性原理计算了纯锐钛相Ti O2和非金属(B,C,N,F,P,S,Cl)掺杂体系的晶体结构、电子结构和光学性质。计算结果表明,非金属掺杂后由于晶格常数、键长、原子电荷分布的变化导致Ti O2的八面体偶极矩增大,这对光生电子-空穴对的分离是十分有利的。由掺杂物的p电子态与O的2p电子态、Ti的3d电子杂化而形成的杂质能级的存在使大多数掺杂体系的带隙减小,从而使Ti O2的基本吸收带边红移到可见光区。根据理论结果,系统分析和比较了非金属对锐钛矿相Ti O2电子结构和光学性质的掺杂效应,同时非金属掺杂对Ti O2光催化材料在可见光激发下的作用也得到了分析。计算结果解释了部分非金属掺杂可以使锐钛矿相Ti O2在可见光激发下具有较高光催化活性的原因。
赵宗彦赵响易娟柳清菊
关键词:锐钛矿相TIO2非金属掺杂光催化活性第一性原理计算
Electronic structures of halogen-doped Cu_2O based on DFT calculations
2014年
In order to construct p–n homojunction of Cu2O-based thin film solar cells that may increase its conversion efficiency, to synthesize n-type Cu2O with high conductivity is extremely crucial, and considered as a challenge in the near future. The doping effects of halogen on electronic structure of Cu2O have been investigated by density function theory calculations in the present work. Halogen dopants form donor levels below the bottom of conduction band through gaining or losing electrons, suggesting that halogen doping could make Cu2O have n-type conductivity. The lattice distortion, the impurity formation energy, the position, and the band width of donor level of Cu2O1 xHx(H = F, Cl, Br, I) increase with the halogen atomic number. Based on the calculated results, chlorine doping is an effective n-type dopant for Cu2O, owing to the lower impurity formation energy and suitable donor level.
赵宗彦易娟周大成
ZBL低温助烧Ca_(0.6)La_(0.8/3)TiO_3-Li_(0.5)Nd_(0.5)TiO_3微波介质陶瓷
2015年
通过XRD衍射仪、SEM扫描电镜表征掺杂ZnO-B_2O_3-Li_2O_3(ZBL)低软化点玻璃助烧剂的Ca_(0.6)La_(0.8/3)TiO_3-Li_(0.5)Nd_(0.5)TiO_3(CLLNT)陶瓷样品的物相组成及结构,研究ZBL玻璃的掺杂量对CLLNT样品烧结性能及微波介电性能的影响。研究表明:加入助烧剂(ZBL)后,CLLNT陶瓷的烧结温度降低至950℃;添加9 wt%ZBL玻璃的CLLNT陶瓷在950℃烧结3h,能够获得较好的介电性能:ε_r=82,tanδ=0.0026,τ_f=16 ppm/℃(1 MHz)。
韩香菊张虽栓赵宗彦
关键词:微波介电性能
Sol-Gel法制备Ce-TiO_2工艺对性能影响研究被引量:1
2012年
为了分析比较Sol-Gel法制备Ce掺杂TiO2过程中工艺及参数对其光催化性能的影响,采用正交试验方法并结合XRD、XPS、PL等测试仪器,系统地研究了制备工艺参数对Ce-TiO2微观结构、宏观性能的影响,阐述了三者之间之间的联系。结果表明:掺杂浓度、凝胶陈化时间两个因素主要影响杂质能级的形成,烧结温度、保温时间主要影响样品的晶型与晶粒尺寸,这些因素共同决定了样品的光谱响应与光催化降解性能。研究结果为高效光催化剂的工业生产提供了理论指导。
段志刚赵宗彦彭智敏朱忠其
关键词:正交试验SOL-GEL法光催化性能
Analysis of the electronic structures of 3d transition metals doped CuGaS_2based on DFT calculations被引量:2
2014年
3d transition metals doped CuGaS2 are considered as possible absorbing material candidates for intermediated band thin film solar cells. The electronic structure and optical properties of 3d transition metals doped CuGaS2 are investigated by using density functional theory calculations with the GGA + U method in the present work. The doping with 3d transition metals does not obviously change the crystal structure, band gap, and optical absorption edge of the CuGaS2 host. However, in the case of CuGa1-χTMχS2 (TM = Ti, V, Cr, Fe, and Ni), there is at least one distinct isolated impurity energy level in the band gap, and the optical absorption is enhanced in the ultraviolet-light region. Therefore, these materials are band thin film solar ceils. The calculated results are very well better explain them. ideal absorber material candidates for intermediated consistent with experimental observations, and could better explain them.
赵宗彦周大成易娟
关键词:CHALCOGENIDESDEFECTS
ZnSO_4溶液包覆Ca_(0.6)La_(0.8/3)TiO_3-Li_(0.5)Nd_(0.5)TiO_3微波介电陶瓷的研究
2016年
采用固相合成Ca_(0.6)La_(0.8/3)TiO_3-Li_(0.5)Nd_(0.5)TiO_3(CLT-LNT)微波介质陶瓷基体粉体,以ZnSO_4溶液为先驱体引入ZnO来降低该陶瓷的烧结温度,这种液相引入助烧剂的方法不仅减少了烧结助剂的用量,而且改善了陶瓷材料的介电性能。研究表明:掺入ZnO的CLT-LNT陶瓷在980℃烧结时的介电常数(ε_r)和介电损耗(tanδ)随着ZnSO_4溶液浓度的增大先增大后略有减小。当ZnSO_4溶液的浓度为0.32 mol/L时,CLT-LNT陶瓷在980℃烧结3 h获得较好的介电性能:ε_r=102,tanδ=0.0027,τ_f=-3×10^(-6)/℃。
李延垒张虽栓赵宗岩
Bi_2O_3掺杂0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的低温烧结特性研究
2017年
采用传统固相反应法制备了Bi_2O_3掺杂的0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5压电陶瓷。通过X线衍射、扫描电镜等测试手段对其烧结特性、晶体结构、微观形貌和介电性能进行研究。结果表明,Bi_2O_3掺杂能降低0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的烧结温度,影响相结构,改变微观形貌,并优化电学性能。当Bi_2O_3的质量分数为1.0%时,0.35PNN-(0.60-w%)PZT+0.05V_2O_5+w%Bi_2O_3实现900℃烧结,表现出优异的电学性能:压电常数d33=580pC/N,机电耦合系数kp=0.65,介电常数εr=6 100,介电损耗tanδ=0.006 1,品质因数Qm=65。
张虽栓杨文玲李秋红赵宗彦
关键词:压电陶瓷电学性能
四元化合物半导体Cu_2ZnSnS_4:结构、制备、应用及前景被引量:4
2015年
四元化合物半导体铜锌锡硫(Cu2Zn Sn S4,CZTS)由于其四种组成元素在地壳中丰度非常高且安全无毒,因而成本低廉。CZTS作为直接带隙半导体材料,其吸收光谱与太阳辐射光谱匹配性好、光吸收系数高,具有结构与性质可调可控、光电性能优异等优势,是发展绿色、低成本、高效率和稳定薄膜太阳电池的理想核心材料。近年来,国内外研究者对CZTS的结构与性质、制备工艺、应用尤其是通过结构、成分的调控提高其光电转换效率等方面进行了广泛的研究和探讨。本文对CZTS的结构演变、制备工艺、光电性质与应用等进行综述,重点分析了晶体结构、缺陷、表面与界面、合金化等因素对其光伏性能的影响。同时,对CZTS作为新型能量转换材料在光催化和热电等领域的应用进行了探讨。最后对CZTS目前存在的挑战和今后的研究重点进行总结并展望了将来可能的突破方向。
赵响赵宗彦
关键词:薄膜太阳电池
共2页<12>
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