安徽省高校省级自然科学研究项目(KJ2008B269)
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
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- 激光辐照和高温氧化硅锗合金的低维结构和发光特性被引量：1
- 2009年
- 采用强激光辐照硅锗合金,然后高温氧化的方法,在样品表面生成微米级小孔,用高精度扫描电镜观察孔内结构,发现片状纳米结构的存在。用荧光光谱仪测量其光致荧光谱,对于激光辐照(无高温氧化)的样品,在峰值705nm处出现较强的光致发光(PL)。高温氧化后,样品在606nm处出现一尖锐的PL光谱。利用量子受限和纳晶与氧化物的界面态综合模型解释PL光谱的产生。
- 吴克跃宋军吴兴举
- 关键词：高温氧化激光辐照硅锗合金低维结构
- 硅锗薄膜上低维结构的PL发光的物理模型
- 2009年
- 采用高温氧化(800℃)和激光辐照低温氧化(300℃)的方法以及用激光直接辐照方法,在硅锗合金薄膜上生成锗纳晶。这两种方法所生成的锗纳晶所对应的光致发光(PL)在可见光范围。其中在606nm处有很尖锐的发光峰。经比较发现:低温氧化的样品所对应的PL光谱比高温氧化的PL光谱有明显的蓝移;在606nm处的PL光谱峰位没有变化;高温氧化的样品在606nm处PL光谱的强度明显增强。提出量子受限和锗纳晶与氧化硅的界面态综合发光模型来解释其PL光谱的产生及变化。
- 吴克跃宋军吴兴举周军杨少峰张波
- 关键词：硅锗合金低维结构界面态光致发光
- 退火对硅锗薄膜上低维结构的PL光谱的影响
- 2009年
- 采用激光辐照的方法在硅锗薄膜样品表面生成微米级小孔,用高精度扫描电镜观察孔内结构,发现片状的纳米结构.用荧光光谱仪测其光致荧光谱,在705nm 处出现较强的光致荧光谱(PL).对片状结构在800℃下进行退火20min 后,其 PL 光谱明显蓝移至575nm.退火40min 后,在725nm 处有较宽的 PL 光谱,同时,在606nm 处有一尖锐的 PL 光谱.利用量子受限和纳晶与氧化物的界面态综合模型解释 PL 光谱的产生.
- 吴克跃宋军吴兴举
- 关键词：硅锗合金低维结构界面态
