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国家自然科学基金(61107026)

作品数：10 被引量：20H指数：3
相关作者：郭伟玲俞鑫朱彦旭樊星韩禹更多>>
相关机构：北京工业大学中国联通更多>>
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文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇GAN
  • 2篇电特性
  • 2篇腔面
  • 2篇面发射
  • 2篇面发射激光器
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇光电
  • 2篇光电特性
  • 2篇发射激光器
  • 2篇垂直腔
  • 2篇垂直腔面
  • 2篇垂直腔面发射
  • 2篇垂直腔面发射...
  • 1篇单偏振
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电对
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电压

机构

  • 9篇北京工业大学
  • 1篇中国联通

作者

  • 4篇朱彦旭
  • 4篇俞鑫
  • 4篇郭伟玲
  • 3篇徐晨
  • 3篇白俊雪
  • 3篇韩禹
  • 3篇邓叶
  • 3篇樊星
  • 3篇曹伟伟
  • 2篇邢艳辉
  • 2篇刘建朋
  • 1篇董晨
  • 1篇邹德恕
  • 1篇邓琛
  • 1篇程顺波
  • 1篇李建军
  • 1篇韩军
  • 1篇刘建鹏
  • 1篇崔明
  • 1篇王菲

传媒

  • 4篇发光学报
  • 2篇半导体光电
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
980nm垂直腔面发射激光器的外延生长被引量：3
2015年
模拟了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射谱和量子阱增益谱,采用金属有机物化学气相沉积设备外延生长了980nm的垂直腔面发射激光器,制作了氧化孔径为14μm的内腔式氧化限制型VCSEL器件,其阈值电流为3.3mA,阈值电压为1.8V,斜率效率为0.387W/A,室温直流电流为22.8mA时,输出光功率为5mW。
崔明韩军邓军李建军邢艳辉陈翔朱启发
关键词：金属有机物化学气相沉积
Effects of rapid thermal annealing on ohmic contact of AlGaN/GaN HEMTs被引量：1
2014年
Ohmic contacts with Ti/Al/Ti/Au source and drain electrodes on A1GaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） were fabricated and subjected to rapid thermal annealing （RTA） in flowing N2. The wafer was divided into 5 parts and three of them were annealed for 30 s at 700, 750, and 800 ℃, respectively, the others were annealed at 750 ℃ for 25 and 40 s. Due to the RTA, a change from Schottky contact to Ohmic contact has been obtained between the electrode layer and the A1GaN/GaN heterojunction layer. We have achieved a low specific contact resistance of 7.41 × 10-6Ω cm2 and contact resistance of 0.54 Ω.mm measured by transmission line mode （TLM）, and good surface morphology and edge acuity are also desirable by annealing at 750 ℃ for 30 s. The experiments also indicate that the performance of ohmic contact is first improved, then it reaches a peak, finally degrading with annealing temperature or annealing time rising.
朱彦旭曹伟伟范玉宇邓叶徐晨
关键词：RTA
不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响被引量：4
2013年
电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用有影响。本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与P电极形状相同,B组为Y形CBL,C组为点状CBL。通过对这3组芯片与常规芯片的对比,发现加入CBL对小功率LED的电压特性影响比较小,并且电流阻挡层形状与金属电极形状相同时对光效的提高最大,可以提高14.6%。
曹伟伟朱彦旭郭伟玲刘建朋俞鑫邓叶徐晨
关键词：发光二极管(LED)光效
ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响被引量：1
2013年
在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题。本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响。通过随机抽取样品进行电学测试并结合SEM观测,对比了不同工艺过程,得出ICP工艺是导致串联高压LED阵列中可靠性问题的主要原因。并通过优选ICP刻蚀工艺,使高压LED电流输运特性得以改善,制备出~12 V的四串联高压LED阵列器件。
朱彦旭范玉宇曹伟伟邓叶刘建朋
关键词：氮化镓
795nm单偏振稳定垂直腔面发射激光器的研究被引量：1
2019年
基于非对称氧化技术,引入氧化孔径横向光场损耗各向异性,使得TE/TM偏振光功率差进一步增加,TM偏振得到有效抑制,从而实现795nm垂直腔面发射激光器单偏振稳定输出。实验结果显示:当氧化孔径为7μm×5.5μm时,不同温度下偏振抑制比均在10dB以上,最高达到16.56dB;当氧化孔径为20μm×18μm时,偏振抑制比也可以达到15.96dB。最终,得到偏振抑制比为16dB、水平发散角为8.349°、垂直发散角为9.340°的单偏振稳定输出795nm垂直腔面发射激光器(VCSEL),为实现单偏振高光束质量VCSEL激光光源提供了实验基础。
梁津关宝璐胡丕丽张峰董晨王菲王志鹏
关键词：垂直腔面发射激光器单偏振
静电对GaN基高压LED特性的影响被引量：2
2014年
对GaN基绿光高压LED分别施加-500、-1 000、-2 000、-3 000、-4 000、-5 000和-6 000V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量样品的I-V特性曲线及光通量等参量,研究静电打击对GaN基高压LED器件性能的影响.结果表明:当样品经过-500,-1 000、-2 000、-3 000和-4 000V的静电打击后,由于LED器件内部产生了缺陷,发生了软击穿并且反向漏电流明显增加,但光通量的变化不明显;当经过-5 000V和-6 000V的静电打击后,由于发生了热模式击穿,温度迅速升高,在结区形成熔融通道,使LED的光通量明显减小,甚至衰减到未打击时的一半;在经受-6 000V的静电打击后,正向电压的减小和反向漏电流的增加更加明显,漏电现象更加明显,严重影响了器件的性能,最终使LED样品失效.
韩禹郭伟玲樊星俞鑫白俊雪
关键词：GAN静电放电光电特性
AlGaInP红光LED的GaP窗口层自组装法粗化
2012年
利用高分子共混物的自组装机理,将聚苯乙烯(polystyrene,PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)进行混合形成共混物,并进行微相分离和自组装,然后将共混物放置到超声装置中,利用超声波辅助,使自组装微粒直径和位置分布相对均匀,形成用于刻蚀微纳结构的微掩模。最后利用湿法腐蚀,在LED的GaP窗口层上制作出纳米结构的粗化层。通过SEM、显微镜手段,优化了刻蚀条件。测量了器件的光强、光功率以及I-V曲线,结果表明,使用高分子自组装进行粗化,可以在保持电压及波长特性的条件下,提高光输出功率19.3%。
朱彦旭邓琛徐晨邢艳辉
关键词：粗化磷化镓自组装
注入电流对绿光高压LED光电特性的影响被引量：3
2014年
设计并制备了12 V的GaN基绿光高压发光二极管(LED),并对其进行了变电流测试.研究了绿光高压LED的正向电压、峰值波长、光功率以及光效等重要参数随注入电流的变化关系,电流变化范围为3～50mA,测试温度为25℃.实验结果表明:电流对绿光高压LED的光电特性有很大影响.在驱动电流为20 mA时,对应电压为14 V.随着注入电流的增大,峰值波长蓝移了2 nm.随着电流的增大,光功率近似于线性增加.在注入电流从3mA增大到20 mA的过程中,光效降低了约61％;在注入电流从20 mA增大到50 mA的过程中,光效降低了约39％.这说明高压LED在大电流驱动时,光效降低的幅度比较缓慢.上述结果对GaN基绿光高压LED的改进优化具有一定的参考价值.
白俊雪郭伟玲俞鑫樊星刘建鹏韩禹
关键词：注入电流正向电压峰值波长
GaN HEMT欧姆接触模式对电学特性的影响被引量：2
2014年
本文制备了AlGaN/GaN HEMT器件中常规结构与带有纵向接触孔结构的两种接触电极,研究了该两种源欧姆接触模式对器件电学特性的影响.在相同条件下进行快速退火,发现在750?C下退火30 s后,常规结构还没有形成欧姆接触,而带有纵向欧姆接触孔的接触电极与外延片已经形成了良好的欧姆接触.同时,比较了Ti/Al/Ti/Au和Ti/Al/Ni/Au电极退火后表面形态,Ti/Al/Ni/Au具有更好的表面形貌.通过测试两种结构的HEMT器件后,发现采用纵向欧姆接触孔结构器件具有更高的跨导和饱和电流,但是也会在栅极电压为0.5—2 V之间产生严重的电流崩塌现象.
朱彦旭曹伟伟徐晨邓叶邹德恕
关键词：ALGANGAN欧姆接触
51V GaN基高压LED的热分析被引量：5
2014年
设计并制备了51 V高压LED。对器件进行了大电流冲击试验并对器件的损毁原因进行了分析。运用有限元分析软件ANSYS对LED关键结构部位进行参数化建模及热分布模拟,得到其稳态的温度场分布;然后经过与红外热像仪成像图对比,得出电极烧毁的原因在于芯粒连接处的电极过薄过窄而导致的电阻过大,为后续设计更可靠的高压LED提供了参考。对芯片分别进行蓝光及色温5 000 K的白光封装,并分别测量了热阻,涂覆荧光粉的白光灯珠的热阻要比没有涂覆荧光粉的蓝光灯珠高约4℃/W。同时,51 V高压LED的热阻比1 W大功率LED要高,说明高压LED的散热性能比常规LED要差,这可能与高压LED具有深沟槽及众多的互联电极结构有关。
俞鑫郭伟玲樊星白俊雪程顺波韩禹
关键词：热分析ANSYS热阻
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