国防科技技术预先研究基金(404050501D)
- 作品数：5 被引量：45H指数：4
- 相关作者：常本康钱芸生邱亚峰王惠王世允更多>>
- 相关机构：南京理工大学中国科学院微光夜视技术国防科技重点实验室更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 国外GaAs光电阴极光谱响应特性比较与分析被引量：6
- 2005年
- 对国外标准三代、高性能三代、超三代和四代GaAs光电阴极进行了光谱响应曲线比较。结果显示,GaAs光电阴极的积分灵敏度、响应的截止波长、峰值响应和峰值位置存在明显差异。曲线拟合结果表明国外GaAs光电阴极的后界面复合速率较低,表面逸出几率和电子扩散长度从标准三代到四代不断提高,这些性能的改善导致了GaAs光电阴极灵敏度的提高。
- 杜玉杰杜晓晴常本康
- 关键词：光电阴极GAAS光谱响应截止波长
- 微光像增强器信噪比测试技术研究被引量：16
- 2002年
- 对一台进口的微光像增强器信噪比 (SNR)测试仪进行了改造 ,重新研制和设计了测试仪的信号处理模块、计算机系统和测试软件 ,采用硬件滤波、软件数字滤波和快速傅立叶变换 (FFT)相结合的方法实现了像增强器信噪比测试。利用研制的测试仪对多种型号的像增强器的信噪比进行了测试 ,给出并分析了测试结果。
- 钱芸生常本康詹启海童默颖刘磊
- 关键词：微光像增强器信噪比数字滤波器微光夜视技术微光夜视仪
- 面源电子枪灯丝的热均匀性分析和设计被引量：6
- 2007年
- 测试像增强器荧光屏的亮度均匀性,需要能够发射均匀电子的面源电子枪,设计面源电子枪要对灯丝各点发射的电子数量、电场分布、电子轨迹,以及均匀电子垂直轰击荧光屏几个方面进行理论分析和计算。指出在真空系统中面源电子枪灯丝的热均匀性是使灯丝各点发射的电子数量相等的先决条件,也是灯丝造型设计首先要解决的问题。在真空系统中,热辐射是影响面源电子枪灯丝各点温度的主要因素。参考相关资料,对热辐射均匀性进行了理论分析,推导出3种几何形状的热辐射公式;通过计算和比较,得出了锥状螺旋灯丝的热平衡较好的结论,为下一步电场分析和电子轨迹分析做好了准备。
- 邱亚峰常本康钱芸生高有堂田思
- 关键词：电子枪灯丝
- 真空系统中荧光屏余辉测试技术研究被引量：1
- 2009年
- 像增强器荧光屏的参数测试是研制三代像增强器的前提。现建立真空测试系统。热电子面发射源在真空中发射电子,电场加速,然后轰击荧光屏,使其发亮。利用电场瞬间拒斥轰击电子,测试荧光屏的余辉;分析电场特性,设计出合理的余辉测试装备,测试出荧光屏的余辉,为其它参数测试或其它领域的研究提供了经验。
- 邱亚峰石峰孟凡荣常本康
- 关键词：真空度测试系统
- GaAs光电阴极制备过程中多信息量测试技术研究被引量：17
- 2006年
- 研制了一套基于现场总线技术的GaAs光电阴极多信息量测试系统，该系统可在线测试和保存阴极制备过程中的大部分信息量，如激活系统的真空度、阴极光电流、光谱响应曲线、Cs源和O源电流等。实验测试了GaAs光电阴极加热净化过程中真空度随温度的变化曲线，分析发现，高温净化时有几个真空度下降较快的区域，为160℃～280℃、400℃～500℃、570℃～600℃，分别是由于．AsO的脱附和水分的蒸发、As2O3分解和Ga2O脱附、GaAs和Ga2O3的分解所致，低温净化真空度在370℃后下降较快，这是由于吸附在阴极表面的Cs脱附速度加快造成的。实验还测试了激活过程中多种信息量的变化，发现了真空度和光电流随Cs源和O源电流的变化规律，这些大大方便了对激活工艺进行深入细致的分析研究。
- 邹继军钱芸生常本康王惠王世允
- 关键词：GAAS光电阴极压强热脱附光电流现场总线
