国家重点实验室开放基金(SKLTKF09B08)
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
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- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 热处理温度和溅射气压对铜薄膜结构和性能影响的研究被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射镀膜法,在不同溅射气压、不同热处理温度下制备了铜薄膜,并利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了溅射气压和热处理温度对铜薄膜结构和性能的影响。结果表明:热处理前铜薄膜的晶粒尺寸较小且大小分布不均;随着热处理温度的提高,薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,表面更加平坦化,而晶粒之间的缝隙呈现先增大再减小后增大的趋势,在400℃时晶粒排列最紧密,表面最平坦;随着溅射气压的增高,铜(111)峰值呈现先增大后减小的趋势,当溅射气压为1.0Pa时铜的抗电迁移性最强。
- 蒋立文宋建丽李永堂杜诗文郑光锋
- 关键词：铜薄膜磁控溅射扫描电镜X射线衍射
- 化学机械抛光中Si/Cu/Ta/low-k界面剥离和断裂特性研究被引量：5
- 2012年
- 超大规模集成电路随着布线层数增加和线宽的缩小,low-k材料的介电常数进一步降低,多孔low-k材料力学性能随之降低,使得晶圆在化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)中面临的主要问题是Cu/Ta/low-k或者超低k材料的界面剥离。针对Si/Cu/Ta/low-k在CMP过程中的承载特性,建立单层布线和多层布线体系的界面力学模型,采用断裂力学理论和有限元法研究Si/Cu/Ta/low-k界面在CMP过程中界面的应力分布规律和界面裂纹的断裂强度。采用能量释放率来描述裂纹的扩展情况,根据界面裂纹能量释放率数值计算方法对裂纹长度、材料性质及不同的布线层数对裂纹扩展时的界面断裂/剥离特性进行仿真分析,得到界面应力分布、能量释放率、相位角与裂纹长度、材料性能、布线层数之间的关系变化曲线。结果表明:随着low-k力学性能降低和布线层数增加,裂纹能量释放率升高,界面裂纹更容易扩展。
- 杜诗文李永堂
- 关键词：能量释放率相位角化学机械抛光
- 集成电路中Ta扩散阻挡层对铜布线电迁移性能的影响
- 2013年
- 采用磁控溅射法在硅基材料上分别制备了Cu薄膜和Cu/Ta薄膜,用X射线衍射仪(XRD)研究两种样品在不同温度热处理下的织构情况和择优取向。结果表明,加Ta薄膜的样品可显著提高Cu(111)的衍射峰强度,说明Ta薄膜层能有效增强Cu薄膜层的抗电迁移性能。加Ta层的样品在一定温度下退火后同样也能增进Cu薄膜的抗电迁移性能。
- 郑光锋付建华李永堂杜诗文蒋立文
- 关键词：磁控溅射X射线衍射
