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博士科研启动基金(035036)
作品数:
1
被引量:1
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相关作者:
汪洪波
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朱武
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王旭迪
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陈长琦
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汪洪波
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2009
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反应磁控溅射沉积SiO_x薄膜制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅不可行性研究
被引量:1
2009年
用射频磁控溅射法在纯氩气或氩气/氧气混合气体中溅射纯硅靶制备SiOx(x<2)薄膜。X射线光电子谱(XPS)分析证实,射频功率对x值起决定作用。当射频功率低时,所制备的薄膜是化学计量比的SiO2,通过调节氧气分压调节x值非常困难。只有当射频功率较高时,才可以通过调节氧分压调节x值。实验结果证实了射频反应磁控溅射不宜用于制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅(nc-Si/SiO2)的前驱体SiOx膜。文中讨论了相关机制。
方应翠
朱仁胜
夏锡全
汪洪波
王旭迪
朱武
陈长琦
关键词:
反应磁控溅射
X射线光电子谱
SIOX
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