中央高校基本科研业务费专项资金(65012001)
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 相关作者：张德贤蔡宏琨于倩苏超胡居涛更多>>
- 相关机构：南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室东京工业大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程动力工程及工程热物理更多>>
- 硅薄膜太阳电池制备技术发展概况
- 2012年
- 薄膜太阳电池是缓解能源危机的新型光伏器件。作为应用最为广泛的硅基薄膜太阳电池,本文主要总结硅薄膜电池的制备工艺和制备方法,讨论了不同陷光结构对太阳电池性能的影响,介绍了最新高效太阳电池的制备方法,并展望硅薄膜太阳电池的发展趋势。
- 王奉友张德贤王远蔡宏琨李艳楠
- 关键词：硅薄膜太阳电池陷光结构
- P型微晶硅碳的性能研究及其在柔性衬底太阳电池中的应用
- 2012年
- 采用RF-PECVD技术,将甲烷(CH4)作为碳的掺杂源沉积P型微晶硅碳薄膜材料,主要讨论P型微晶硅碳材料的结构和性能随CH4掺杂量的变化。采用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪和傅里叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行表征。随CH4掺杂量的增加,材料的暗态电导率σd减小,薄膜的晶化程度降低。通过调整CH4的掺杂量得到暗态电导率σd为0.15S/cm和光学带隙Eg大于2.0eV的P型微晶硅碳材料。将其应用到PEN柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池上,得到电池效率为5.87%。
- 蔡宏琨陶科赵敬芳胡居涛张德贤
- 关键词：太阳电池柔性衬底PEN
- P型微晶硅及其在柔性衬底太阳电池中的应用被引量：3
- 2013年
- 本文以B(CH3)3(TMB)为掺杂剂,通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P型微晶硅(c-Si:H)薄膜材料进行了研究.通过测试材料电学、光学及微结构特性等,研究了硅烷浓度与掺杂浓度对薄膜性能的影响.将上述材料分别应用于PEN/ZnO柔性衬底及SnO2玻璃衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,PEN柔性衬底的非晶硅太阳电池得到了4.63%的光电转换效率,玻璃衬底非晶硅太阳电池得到了5.72%的光电转换效率.
- 蔡宏琨陶科胡居涛靳果谢轲张德贤
- 关键词：柔性衬底非晶硅太阳电池
- 单晶硅表面制绒及其特性研究被引量：5
- 2014年
- 研究了在不同的碱液(NaOH,Na2CO3,NaHCO3,Na2SiO3,Ca(OH)2,CH3COONa)和异丙醇(IPA)制绒下单晶硅表面金字塔结构的变化情况,使用分光光度计测量了不同结构表面的反射率变化。结果表明,金字塔绒面的表面反射率与金字塔结构及大小分布情况有关,实验中获得的最低表面反射率为7.8%。金字塔结构断面SEM图显示金字塔顶角在断面上的投影角度不会随反应条件和金字塔大小改变,维持在80°左右。最后,通过制绒后硅片表面金字塔形貌的扫描电镜图样和反射率的分析,提出了织构率α的概念,得到了快速了解单晶硅表面金字塔覆盖率的方法。
- 戴小宛张德贤蔡宏琨仲玉泉于倩苏超
- 关键词：单晶硅陷光结构反射率
- 背接触势垒对a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池性能的影响
- 2014年
- 由载流子输运理论推出a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池的背接触势垒是其J-V曲线出现S-shape现象的原因之一,此时电池内部存在两个串联反偏的二极管,阻碍载流子输运。通过模拟计算验证该结论,发现硅基异质结太阳电池背接触产生的肖特基势垒高度存在最大临界值,高于此值则电池的开路电压、填充因子和转换效率会急剧衰减,而短路电流密度基本不变。
- 王奉友张德贤蔡宏琨苏超于倩胡楠
- 关键词：异质结太阳电池背接触模拟计算
