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国家自然科学基金(60278031)

作品数：4 被引量：16H指数：2
相关作者：申德振张振中刘益春张吉英范希武更多>>
相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国人民公安大学中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 2篇隧穿
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇激子
  • 2篇发光
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化处理
  • 1篇等离子增强化...
  • 1篇熟化
  • 1篇锌化合物
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇化合物
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光光谱
  • 1篇SI衬底
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNTE
  • 1篇CDZNTE

机构

  • 3篇中国科学院长...
  • 2篇中国人民公安...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇申德振
  • 3篇张振中
  • 2篇吕有明
  • 2篇范希武
  • 2篇张吉英
  • 2篇张立功
  • 2篇金华
  • 2篇郑著宏
  • 2篇刘益春
  • 1篇刘舒
  • 1篇王蓉
  • 1篇李柄生
  • 1篇吕少哲
  • 1篇李丽华
  • 1篇王晓华
  • 1篇卜凡亮
  • 1篇单崇新
  • 1篇孔祥贵
  • 1篇王晓华

传媒

  • 1篇光电子．激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2008
  • 2篇2003
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程被引量：1
2008年
设计了(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用吸收光谱、室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运-探测方法研究了该复合结构中的激子隧穿过程.分别测量了该结构中CdZnTe/ZnTe量子阱层和ZnSeTe/ZnTe量子阱层中激子衰减时间.观察到从CdZnTe/ZnTe量子阱层向ZnSeTe/ZnTe量子阱层的快速激子隧穿,隧穿时间为5.5 ps.
金华刘舒张振中张立功郑著宏申德振
关键词：激子隧穿
ZnCdSe量子点的激子行为研究被引量：4
2003年
用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在晶格失配较小的情况下制备了ZnCdSe量子点,并用原子力显微镜(AFM)和极低温度下的发光光谱确认了量子点的形成。原子力显微镜观测的形貌变化发现,随着生长后时间的增加,量子点的尺寸逐渐增大,而密度减小,这是由于熟化过程作用的结果。随着量子点生长完毕与加盖层之间间隔时间的增加,量子点的发光峰位明显红移,且由变温光谱得到的激子束缚能逐渐变小。这可以解释为随着间隔时间的增加,量子点的熟化过程导致量子点的尺寸增大,量子限域效应减弱所致。
单崇新范希武张吉英张振中王晓华吕有明刘益春申德振孔祥贵吕少哲
关键词：ZNCDSE激子金属有机化学气相沉积发光光谱熟化
Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响被引量：11
2003年
用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的0.20°,CL谱的紫外发光增强,深缺陷发光变弱。这说明,在ZnO外延生长前,对Si表面的氮化是一种提高其质量的有效方法。并对氮化处理提高ZnO薄膜质量的机理进行了探索。
王晓华范希武李柄生张吉英刘益春吕有明申德振
关键词：SI衬底ZNO薄膜氮化等离子增强化学气相沉积
ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子复合
2008年
采用MOCVD方法制备了ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构,利用低温(5K)光致发光光谱和变密度发光光谱研究了该结构中的激子隧穿和复合.观察到在该结构中存在由量子阱到量子点的激子隧穿现象.改变垒层厚度会对量子阱和量子点的发光产生显著影响.在垒层较薄的阱/点耦合结构中,隧穿效应可以有效地抑制量子阱中的带填充和饱和效应.
金华卜凡亮李丽华王蓉张振中张立功郑著宏申德振
关键词：光致发光隧穿
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共1页<1>
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