教育部国际合作项目(2010DFA52240)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
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- SiC陶瓷/金属钨的SPS扩散焊接
- 2013年
- 本文采用放电等离子烧结(SPS)技术,对用于高温环境下服役的SiC陶瓷和钨的扩散焊接进行了探索研究。结果表明,采用SPS技术可以在1300℃~1500℃实现SiC/W的连接。在SPS扩散焊接条件下SiC和W在界面处会发生化学反应,形成一个主要组分为WC、Si3W5等新相的过渡层,且随着焊接时间延长和温度升高,W持续向SiC层扩散在过渡层和SiC的界面上形成新的反应物,从而导致过渡层的厚度增加。过渡层的厚度对焊接件性能的影响呈现非线性变化,对焊接件的三点弯曲强度测试表明:在1410℃时,保温5 min,材料在界面处的弯曲强度达到最高,约162 MPa。对焊接后金属钨的结构分析显示,高温过程对钨的微结构没有明显的改变,断裂方式仍为延性断裂。显然,SPS可以成为一种快速、有效的SiC陶瓷/金属W扩散焊接技术。
- 张金咏魏倩倩张帆王玉成傅正义
- 关键词：放电等离子烧结SIC陶瓷钨
- 碳化锆陶瓷的氧化及其对导电性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用高温自蔓延制备的碳化锆粉体作为原料,研究了碳化锆陶瓷在空气中的氧化机制和热压烧结块体的氧化动力学行为。结果显示:在空气中,碳化锆陶瓷在200℃时开始氧化;在200～450℃时,氧化产物为ZrCxO1–x(x=0～0.42);在500～600℃时,生成中间相Zr2O出现;当氧化温度升高到1000℃,氧化产物主要为ZrO2。对烧结体的氧化动力学行为分析发现,在200～450℃的氧化过程中烧结陶瓷表面形成ZrCxO1–x致密氧化层,氧化层会抑制氧原子的扩散。当表层氧化产物为ZrC0.42O0.58时,氧化反应基本停止,达到一个稳定状态。继续升高温度,由于产物(Zr2O和ZrO2)的晶型结构发生较大的变化,烧结块体会开裂破坏。随着固溶氧的增加,ZrCxO1–x(x=0～0.42)的电阻从37μcm增加到690μcm。
- 张育伟张金咏傅正义
- 关键词：热压
