国家自然科学基金(69425002)
- 作品数：8 被引量：36H指数：4
- 相关作者：何力杨建荣巫艳陈路于梅芳更多>>
- 相关机构：中国科学院复旦大学上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 垂直Bridgman生长CdTe过程的数值模拟被引量：13
- 2001年
- 采用 Galerkin有限元算法 ,计算了垂直 Bridgman生长 Cd Te过程中的温场分布、液体流动和固液界面的形状 ,分析了生长速率、温区分布等参数对固液界面的影响 .计算结果表明 ,较小的生长速率可以获得更为平坦的固液界面 ,适当增加结晶区域的温度梯度也是改善固液界面形状的一个有效方法 .同时 ,通过对生长系统中的热流分析 ,表明在生长过程的中间阶段 ,热量交换主要集中在梯度区附近 。
- 魏彦锋方维政张小平杨建荣何力
- 关键词：CDTE有限元法数值模拟
- p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究被引量：2
- 2002年
- 利用SIMS和变温霍尔测量手段对 p型Hg0 .77Cd0 .2 3 Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究 .结果表明采用AgNO3 溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的 ,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的 ,掺杂后 ,p型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小 。
- 俞谦荣杨建荣黄根生陈新强夏义本何力
- 关键词：二次离子质谱电学性质银掺杂红外探测器液相外延材料AG掺杂
- 碲镉汞液相外延薄膜生长技术与性能被引量：2
- 2000年
- 用液相外延的方法在 Cd Zn Te衬底上生长 Hg1 - x Cdx Te材料 ,获得了表面形貌好 ,位错密度低 ,组份均匀的碲镉汞外延材料 ,生长工艺对材料的参数控制有较好的重复性 .外延材料经热处理后 ,材料的 P型和 N型电学参数都达到较好的水平 。
- 黄根生陈新强杨建荣何力
- 关键词：液相外延电学参数碲镉汞薄膜生长
- 采用ZnCdTe衬底的MBE Hg_(1-x)Cd_xTe位错密度研究被引量：4
- 2002年
- 报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬底上生长的长波Hg1-xCdxTe材料EPD平均值达到 4.2× 10 5cm-2 ,标准差为 3.5× 10 5cm-2 ,接近ZnCdTe衬底的位错极限 .可重复性良好 ,材料位错合格率为 73.7% 。
- 巫艳于梅芳陈路乔怡敏杨建荣何力
- 关键词：分子束外延位错密度MBE红外焦平面探测器
- CdZnTe晶片中的Zn组分的研究被引量：5
- 1999年
- 用X 射线双晶衍射、光致发光谱和红外透射光谱研究了CdZnTe 晶体中的Zn 的组分.研究表明透射光谱的Syllaios经验公式结果与X 射线双晶衍射和光致发光谱精确测量结果对比,偏差小于4% .透射光谱可以做为测量Zn
- 黄根生张小平常勇于福聚杨建荣何力
- 关键词：CDZNTE光致发光谱锌晶片半导体
- Cd1-xZnxTe合金的退火研究被引量：3
- 2001年
- 用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对 Cd1 - x Znx Te晶片中 Te沉淀的影响 .研究结果表明 ,红外透射谱只对大尺寸的 Te沉淀较为敏感 ,而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的 Te沉淀 ,两者互为补充 .在 Cd气氛下对晶片进行退火处理 ,选择合适的退火温度和退火时间 ,可以有效地消除晶片中大尺寸的 Te沉淀 ,却难以消除晶片中小尺寸的微量
- 魏彦锋方维政刘从峰杨建荣何力王福建王兴军黄大鸣
- 关键词：CDZNTE红外透射谱喇曼散射退火
- 分子束外延HgCdTe表面缺陷研究被引量：4
- 2001年
- 采用 Ga As作为衬底研究了 Hg Cd Te MBE薄膜的表面缺陷 .借助 SEM分析了不同缺陷的成核机制 ,确定了获得良好表面形貌所需的最佳生长条件 .发现 Hg Cd Te外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关 .获得的外延层表面缺陷 (尺寸大于 2 μm)平均密度为 30 0 cm- 2 ,筛选合格率为 6 5 % .
- 陈路巫艳于梅芳王善力乔怡敏何力
- 关键词：分子束外延HGCDTE汞镉碲
- HgCdTe分子束外延In掺杂研究被引量：4
- 2001年
- 报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 .
- 巫艳王善力陈路于梅芳乔怡敏何力
- 关键词：分子束外延HGCDTE掺杂铟
