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国防科技重点实验室基金(51432040103D0102)

作品数：1 被引量：5H指数：1
相关作者：张玉明张义门郭辉刘芳更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇退火
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇离子注入
  • 1篇离子注入技术
  • 1篇N型
  • 1篇SIC

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇刘芳
  • 1篇郭辉
  • 1篇张义门
  • 1篇张玉明

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
离子注入制备n型SiC欧姆接触的工艺研究被引量：5
2005年
由于杂质在 ＳｉＣ 中的扩散系数很低，所以制备 ＳｉＣ 器件欧姆接触所需要的高掺杂区必须采用离子注入技术。本文采用蒙特卡罗模拟软件 ＴＲＩＭ 模拟得出不同能量不同剂量六次注入杂质的纵向分布图，根据大量文献数据和国内现有的制备水平，提出制备 ｎ 型 ＳｉＣ 欧姆接触最优的工艺流程。
刘芳张玉明张义门郭辉
关键词：离子注入技术欧姆接触退火
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共1页<1>
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