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国家重点基础研究发展计划(513270101)

作品数：1 被引量：1H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇解析模型
  • 1篇功率MESF...
  • 1篇4H-SIC
  • 1篇I-V特性
  • 1篇MESFET

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇国云川
  • 1篇延波
  • 1篇徐锐敏
  • 1篇徐跃杭
  • 1篇王磊

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
4H-SiC功率MESFET直流I-V特性解析模型被引量：1
2007年
提出了一种改进的4H-SiC MESFET大信号直流解析模型。该模型基于栅极下面电荷的二维分布进行分析,在考虑电场相关迁移率、速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上,计入沟道长度调制效应,建立基于物理的沟道长度调制效应模型。计算结果表明,计入沟道长度调制效应后的直流模型在饱和区与实测的I-V特性较为吻合。
徐跃杭徐锐敏延波国云川王磊
关键词：4H-SICMESFETI-V特性解析模型
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共1页<1>
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