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国家自然科学基金(50871056)

作品数:10 被引量:7H指数:1
相关作者:崔教林张晓军付红颜艳明应鹏展更多>>
相关机构:宁波工程学院中国矿业大学江苏建筑职业技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 7篇热电性能
  • 3篇等离子
  • 3篇合金
  • 3篇放电等离子
  • 3篇放电等离子烧...
  • 2篇英文
  • 2篇化合物
  • 2篇GA
  • 2篇SB
  • 1篇电学性能
  • 1篇三元合金
  • 1篇四元合金
  • 1篇热电材料
  • 1篇钕铁硼
  • 1篇钕铁硼磁体
  • 1篇微观结构
  • 1篇微结构
  • 1篇力学性能
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度

机构

  • 8篇宁波工程学院
  • 7篇中国矿业大学
  • 2篇江苏建筑职业...
  • 1篇太原理工大学

作者

  • 7篇崔教林
  • 6篇张晓军
  • 6篇付红
  • 5篇应鹏展
  • 5篇颜艳明
  • 2篇高榆岚
  • 1篇杜正良
  • 1篇张伯权
  • 1篇刘湘涟

传媒

  • 5篇稀有金属材料...
  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇兵器材料科学...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Effects of Al Addition on the Thermoelectric Properties of Zn-Sb Based Alloys被引量:1
2009年
The β-Zn4Sb3, emerged as a compelling p-type thermoelectric material, is widely used in heat-electricity conversion in the 400-650 K range. In order to probe the effects of slight doping on the crystal structure and physical properties, we prepared the samples of Al-added Zn-Sb based alloys by spark plasma sintering and evaluated their microstructures and thermoelectric properties. After a limited A1 addition into the Zn-Sb based alloys we observed many phases in the alloys, which include a major phase β-Zn4Sb3, intermetallic phases ZnSb and A1Sb. The major β-Zn4Sb3 phase plays a fundamental role in controlling the thermoelectric performance, the precipitated phases ZnSb and AISb are of great importance to tailor the transport properties, such as the gradual enhancement of lattice thermal conductivity, in spite of an increased phonon scattering in additional grain boundaries. The highest thermoelectric figure of merit of 0.55 is obtained for the alloy with a limited A1 addition at 653 K, which is 0.08 higher than that of un-doped β-Zn4Sb3 at the corresponding temperature. Physical property experiments indicate that there is a potentiality for the improvement of thermoelectric properties if a proper elemental doping is carried out into the Zn-Sb based alloys, which was confirmed by A1 addition in the present work.
CUI JiaolinLIU XianglianYANG WeiCHEN DongyongMAO LidingQIAN Xin
不同Zn含量的GaSb热电半导体及其性能被引量:1
2011年
采用放电等离子烧结法(SPS)制备了四种不同Zn含量的GaSb热电半导体(分别是GaSb,Zn0.9Ga2.1Sb2,ZnGa2Sb2和Zn1.1Ga1.9Sb2),并分析研究其热电性能。结果表明:加Zn后虽然GaSb的Seebeck系数大幅度降低,但电导率提高了约两个数量级,热导率也得以降低,最终热电性能明显提高。在713K时Zn1.1Ga1.9Sb2的最大ZT值达到0.11,比本征GaSb的ZT值提高了近6倍。
张晓军应鹏展崔教林付红颜艳明
关键词:放电等离子烧结热电性能
添加Dy_2O_3的钕铁硼磁体的烧结行为与性能被引量:2
2012年
在工业生产线上制备24.5Nd-8Pr-0.55Nb-0.20Cu-0.65Al-1.15B-Fe+x%(质量分数)Dy2O3烧结磁体,分析了磁体密度、显微组织、取向度、磁性能以及抗弯强度与Dy2O3添加数量的关系。结果表明,随着x由0增加至0.8,2.4,磁体密度由7.470 g.cm-3略微上升至7.481 g.cm-3,而后明显下降至7.369 g.cm-3;平均晶粒尺寸由8.6μm持续增大至9.3,10.8μm,且晶粒尺寸分布不均匀;I006/I105比值则由1.305增大至1.394,1.688,磁体取向度明显提高。当x由0增加至1.2,2.4时,剩磁由1.244 T近似线性地降低到1.218,1.187 T;内禀矫顽力从1124.8 kA.m-1迅速提高到1307.8 kA.m-1,而后缓慢上升至1381.8 kA.m-1;磁体抗弯强度则从325 MPa缓慢降低至319 MPa,而后迅速下降至231 MPa左右。添加Dy2O3使富钕液相的流动性及其对主相颗粒的润湿性变差,不利于富钕液相的均匀分布,阻碍磁体烧结致密化过程,促进烧结过程晶粒长大。适量添加Dy2O3,使内禀矫顽力显著提高,剩磁出现一定程度的下降;当Dy2O3添加数量比较大时,其提高内禀矫顽力的效应明显减小,同时磁体抗弯强度大幅度降低。
刘湘涟
关键词:钕铁硼磁体磁性能力学性能
添加Ge的In_(10)Sb_(10)Ge三元合金热电性能(英文)
2010年
InSb单晶材料具有相当高的载流子迁移率,因而有良好的电学性能。本文采用缓慢凝固技术制备出In-Sb-Ge三元合金,并在320K到706K的温度范围内测量其热电性能。显微结构观察表明,In-Sb-Ge三元合金的微观组织由嵌入含锗相的锑化铟相组成,这一结果与X射线衍射分析的结果相符。性能测试表明,其晶格热导率在整个温度范围内都非常低,尤其在低温下更低,而载流子热导率随温度的升高,从6.3(W.m-1.K-1)降低到2.4(W.m-1.K-1),在热传输过程中起主要作用。在708K时In10Sb10Ge合金的最高ZT值为0.18。
颜艳明应鹏展崔教林付红张晓军
关键词:热电性能放电等离子烧结
掺杂Cu的AgSbTe四元合金电学性能
2011年
AgSbTe基合金具有良好的热学和电学性能,在发电和制冷领域获得广泛应用。通过放电等离子烧结技术制备(AgSbTe2)0.405(Sb2-xCuxTe3)0.064(x=0,0.025,0.05,0.1,0.2)5种合金,观察其微观结构,并研究316~548 K温度区间内电学性能的变化。结果表明,x=0和x=0.025两种样品形成单相,其他3种样品都形成AgSbTe2和Sb2Te多相。掺杂不同比例的Cu元素后,各样品的功率因子都比掺杂前有不同程度的降低,当x=0.2时,样品的电学性能下降最明显。
付红应鹏展颜艳明张晓军高榆岚
关键词:微观结构电学性能
添加Sb的Ga_2Te_3合金热电性能被引量:1
2011年
本研究采用等摩尔分数的Sb元素替换Ga2Te3中的Ga元素,并利用放电等离子烧结技术制备Ga1.9Sb0.1Te3合金,研究其微观结构和热电性能。结果表明,添加Sb元素后,材料的Seebeck系数为130~240μV/K,明显低于单晶Ga2Te3,电导率为3600~1740??1·m?1,至少是单晶Ga2Te3的17倍,热导率提高近25%。在649K时Ga1.9Sb0.1Te3合金的热电优值(ZT)达到最大值0.1,是同温度下单晶Ga2Te3ZT值的3倍。
付红应鹏展崔教林颜艳明张晓军
关键词:微结构热电性能
P型Ga_2Te_5基化合物的热电性能(英文)被引量:1
2012年
采用放电等离子烧结技术(SPS)制备P型复相Ga2Te5基化合物,对其进行微观分析和热电性能测试。通过XRD分析观察到主相Ga2Te5和少量的SnTe、单质Te。在整个测试温度(319~549K)范围内,Ga2Te5基化合物的Seebeck系数、电导率和热导率都随温度的升高而降低。由于具有相对较低的热导率和较高的电导率,Ga2SnTe5在549K时取得了最高ZT值0.16。
付红应鹏展崔教林张晓军颜艳明
关键词:热电性能放电等离子烧结
Sb掺杂Mg_(2-x)Zn_xSi(0≤x≤0.1)固溶体的热电性能(英文)
2016年
利用B_2O_3助熔剂法结合SPS技术制备了Mg_(2-x)Zn_xSi_(0.99)Sb_(0.01)(0≤x≤0.1)固溶体。测量了300~780 K温度区间内试样的电导率、塞贝克系数和热导率。发现晶格热导率随Zn取代量的增大而降低。而电导率随Zn取代量的增大而先降低后增大。讨论了影响电导率与晶格热导率的变化规律的具体内在机制。所有样品中x=0.075样品的功率因子最高,在780 K达1.76 m W·m^(-1)·K^(-2),比基体Mg_(2-x)Zn_xSi_(0.99)Sb_(0.01)高约18%。x=0.1样品具有最低晶格热导率,在770 K达到2.86 W·m^(-1)·K^(-1)。低晶格热导率使Mg_(1.9)Zn_(0.1)Si_(0.99)Sb_(0.01)具有最高热电优值,在780 K达0.37。
杜正良崔教林
关键词:热电性能热电材料
共掺杂Cu,Te后禁带宽度变窄对In_2Se_3基半导体热电性能的影响被引量:1
2012年
α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·K-2;最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63。高分辨电镜(HRTEM)观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织。在温度高于500K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系。
崔教林张晓军李奕沄高榆岚
关键词:热电性能
掺杂Al的(In_2Te_3)_(0.09)(SnTe)_(0.91)化合物热电性能
2013年
以等摩尔分数的Al元素替代(In2Te3)0.09(SnTe)0.91中的In元素,利用放电等离子烧结技术、采用相同的工艺制备了(In2Te3)0.09(SnTe)0.91和(In1.9Al0.1Te3)0.09(SnTe)0.912种化合物,并对两者的微观结构和热电性能进行对比。结果表明,掺杂Al元素后,材料的Seebeck系数降低很小,电导率为1×1052.3×1051·m1,是掺杂前的2.43倍,晶格热导率L值大幅度降低。在693K时,掺杂Al后的化合物ZT值达到最大值0.4,是同温度下掺杂前ZT值的2倍。
付红张伯权崔教林
关键词:热电性能
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