湖北省自然科学基金(2011CB234)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 相关作者：张涛王勤甘朝晖段宗胜向延钊更多>>
- 相关机构：武汉科技大学更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金湖北省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种带振幅调节的晶体振荡器被引量：1
- 2013年
- 设计了一种带振幅控制的晶体振荡器,用于32768Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35μm、5V CMOS工艺上实现,仿真和测试结果都能满足设计要求。
- 向延钊张涛张迪
- 关键词：晶体振荡器实时时钟低功耗
- 基于忆阻器的自动增益控制电路设计被引量：2
- 2013年
- 忆阻器被认为是除了电阻、电容、电感之外的第四个基本电路元件,它是一种非线性二端无源器件,具有"记忆"功能。忆阻器在众多领域中具有巨大的应用潜力,有望推动整个电路理论的变革。介绍了一种改进的忆阻器SPICE模型,在此基础上,设计了一种基于忆阻器的自动增益控制电路。通过SPICE对电路进行仿真,证明该设计是可行的,完全实现了增益的自动控制。
- 王勤甘朝晖段宗胜
- 关键词：自动增益控制无源元件
- 一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
- 2012年
- 基于SMIC0.35μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40～80℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6V/℃以下。
- 方圆周凤星张涛张迪
- 关键词：带隙基准电源抑制比
