山东省教育厅高校科研发展计划项目(03C08)
- 作品数：5 被引量：23H指数：3
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- 相关机构：上海理工大学曲阜师范大学济宁医学院更多>>
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 不同的氧氩比对ZnO薄膜性能的影响被引量：4
- 2007年
- 利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动.随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小.
- 潘志峰袁一方李清山孔繁之张利宁
- 关键词：ZNO薄膜晶体结构导电性能
- 氧对纳米ZnO薄膜晶体结构和光致发光的影响被引量：3
- 2004年
- ZnO是一种直接带半导体材料,在光电领域中和GaN一样受到关注.ZnO不仅有与GaN相似的晶体结构,而且它的激子结合能高达60meV,是GaN的2.4倍.采用射频(RF)磁控溅射法在n-Si(001)衬底上生长ZnO薄膜,XRD谱测量显示出氧压对ZnO薄膜的晶体结构有显著影响.用波长为325nm的激光激发,观察到在445nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子跃迁到价带,分析了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响.
- 潘志峰袁一方王志坚
- 关键词：ZNO薄膜射频磁控溅射光致发光半导体材料晶体结构
- 氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响被引量：2
- 2007年
- 探讨氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响。利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能。随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动。随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小。
- 潘志峰袁一方李清山孔繁之张利宁
- 关键词：ZNO薄膜晶体结构导电性能
- 退火处理对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响被引量：10
- 2006年
- 利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,将该样品进行退火处理,并测量了样品的导电性能,结果显示退火处理可以引起薄膜的重结晶,从而改善薄膜的结晶状况,改变薄膜中的化学配比。退火后样品的薄膜电阻相对较小,增加了薄膜中施主的浓度,增强了薄膜的导电性。
- 潘志峰袁一方李清山
- 关键词：ZNO薄膜晶体结构导电性能退火
- 衬底温度对氧化锌薄膜电学性质的影响被引量：4
- 2004年
- 氧化锌是一种性能良好的半导体材料,可以用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料。主要研究了用磁控溅射方法在不同衬底温度下生长ZnO薄膜的电学特性,分析了ZnO薄膜的电阻率和击穿场强随温度的变化关系。
- 潘志峰袁一方李修善
- 关键词：氧化锌薄膜电阻率击穿场强
