您的位置: 专家智库 > >

北京市自然科学基金(4022004)

作品数:4 被引量:19H指数:4
相关作者:贾云鹏亢宝位吴鹤吴郁张斌更多>>
相关机构:北京工业大学清华大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市教委资助项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇二极管
  • 2篇局域寿命控制
  • 2篇汲取
  • 2篇功率二极管
  • 2篇
  • 1篇质子注入
  • 1篇离子辐照
  • 1篇快恢复二极管
  • 1篇功率器件
  • 1篇辐照剂量
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体功率器...
  • 1篇半导体元器件
  • 1篇

机构

  • 4篇北京工业大学
  • 1篇清华大学

作者

  • 4篇亢宝位
  • 4篇贾云鹏
  • 2篇吴郁
  • 2篇吴鹤
  • 1篇王俊
  • 1篇胡冬青
  • 1篇谢书珊
  • 1篇韩宝东
  • 1篇张斌

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 2篇2003
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
局域铂掺杂寿命控制快恢复二极管的研究被引量:4
2006年
利用质子辐照感生的局域高浓度空位缺陷对样品表面层预生成的铂硅合金中的铂原子进行汲取,形成与感生缺陷分布相似的局域铂分布,首次实现了具有局域铂掺杂的快恢复二极管中的局域寿命控制技术。报告了改变质子注入剂量对二极管反向恢复时间和反向漏电流等参数的影响。结果表明,当辐照剂量较低时,随着辐照剂量的增加,电活性铂浓度不断提高,器件性能不断优化。而辐照剂量增加到一定程度,有效区电活性铂杂质的浓度会趋向饱和,二极管反向恢复时间基本上不再继续减小。
韩宝东胡冬青谢书珊贾云鹏亢宝位
关键词:辐照剂量快恢复二极管
用局域寿命控制技术改善功率快恢复二极管性能的仿真研究被引量:5
2003年
针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究 ,得到了全面系统的研究结果 ,其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快恢复二极管的反向恢复时间 ( trr)、反向恢复软度因子 ( S)、正向压降 ( VF)、漏电流 ( IR)等各个单项性能的影响 ,以及对 trr- S、trr- VF 和 trr- IR 等各项性能综合折衷的影响 .这些结果对高速功率器件寿命工程研究和器件制造工程都有重要的参考价值 .
吴鹤吴郁亢宝位贾云鹏
关键词:局域寿命控制
高压半导体功率器件的寿命控制工程述评被引量:7
2003年
对应用于高压功率器件的寿命控制技术进行了述评。着重分析了高能H+辐照、He2+辐照等局域寿命控制技术,利用这种技术有可能实现高压功率器件突破性的进展。
贾云鹏亢宝位吴郁吴鹤
关键词:半导体
高压功率二极管中局域铂掺杂寿命控制的研究被引量:4
2004年
利用质子辐照形成的集中于射程末端的高密度缺陷在退火时对铂的吸杂作用 ,实现了硅高压功率P i N二极管的局域铂掺杂。经过 70 0°C、半小时低温退火 ,在已进行质子辐照的样品中 ,铂会由铂硅合金阳极向器件内部扩散 ,并形成与质子辐照感生缺陷分布相似的铂的分布。最终 ,质子辐照缺陷峰附近处的铂浓度将会是缺陷拖尾区中铂浓度的 1.5~ 2倍。与传统扩铂技术相比 ,用此新技术制成的P i N功率二极管有可能实现更快的恢复速度、更大的软度恢复因子和更低的反向漏电。
贾云鹏王俊亢宝位张斌
关键词:局域寿命控制质子注入功率二极管
共1页<1>
聚类工具0