国家自然科学基金(61104226)
- 作品数：4 被引量：9H指数：3
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- 相关机构：中国科学院中国科学院研究生院中国科学院合肥物质科学研究院更多>>
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- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信机械工程更多>>
- 耦合型超薄悬臂梁阵列释放工艺分析
- 2015年
- 针对耦合型超薄悬臂梁阵列释放过程中发生的粘附现象,采用背面湿法腐蚀的释放工艺,研究了液体表面张力对悬臂梁释放时的影响。通过改变悬臂梁释放时的液体环境和清洗方法,降低液体表面张力,避免悬臂梁的粘连,成功制备出长为220μm,宽为10μm,厚为220nm的超薄悬臂梁,成品率可达100%。
- 魏晓玮苗斌李加东吴东岷
- 生物分子膜门电极AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器研究被引量：4
- 2014年
- 设计并制作了结构尺寸为毫米量级的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器,采用数值分析的方法分析了器件传感区域长度与宽度比值及待测物调控二维电子气(2DEG)距离与感测信号之间的关系,给出了结构尺寸为毫米量级的AlGaN/GaN HEMT生物传感器的设计依据,以不同浓度的前列腺特异性抗原(PSA)为待测物,对制作的AlGaN/GaN HEMT生物传感器进行了初步测量,测试结果表明,在50 mV的电压下,毫米量级的AlGaN/GaN HEMT生物传感器的对PSA的探测极限低于0.1 pg/ml.实验表明毫米量级的AlGaN/GaN HEMT生物传感器具有灵敏度高,易于集成等优点,具备良好的应用前景.
- 李加东程珺洁苗斌魏晓玮张志强黎海文吴东岷
- 关键词：二维电子气高电子迁移率晶体管前列腺特异性抗原
- 高灵敏度AlGaN/GaN HEMT生物传感器设计及制作被引量：3
- 2012年
- 目前AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器表面修饰及分子识别元件固定需在金属或氧化物门电极上进行,针对金属或氧化物门电极的存在增加了器件的制作难度,提高了制作成本,同时还影响了传感器灵敏度的提高等问题,提出了进行"生物分子膜"门电极的研究。传感器的表面采用3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)进行修饰作为分子识别元件固定的基底,该方法在降低传感器的制作成本的同时,提高了传感器的灵敏度,传感区域为长度L=5μm、宽度W=160μm的传感器测量质量浓度为0.1ng/mL的山羊免疫球蛋白(IgG)时,传感器源漏间电流呈现约30μA的电流降。该传感器反应速度快,适用于实时监测,在环境监控、医疗等领域有着良好的应用前景。
- 薛伟李加东谢杰吴东岷
- 关键词：生物传感器
- 硅基自锐式纳米针尖一次成型制作工艺的研究被引量：3
- 2013年
- 对采用KOH溶液腐蚀单晶硅制备自锐式纳米针尖的一次成型制作工艺进行了研究,为提高自锐式纳米针尖的纵横比,根据各向异性腐蚀针尖的自锐效应模型,分析了腐蚀溶液的浓度及掩模形状对针尖形状的影响,得到了提高自锐式纳米针尖纵横比的条件,实验结果表明,在15mol/L,60℃的KOH腐蚀液中采用五边形掩模可获取纵横比约等于1,针尖曲率半径小于10nm的自锐式纳米针尖,针尖侧壁由{113}晶面组成。
- 薛伟李加东谢杰吴东岷
- 关键词：各向异性腐蚀
